![]() |
РљРёС—РІСЃСЊРєРёР№ національний університет імені Тараса Шевченка ρадіоφізичний φакультет |
|
![]() Стріха Віталій Іларіонович1931-99 СЂСЂ., професор, завідувач кафедри, проректор РљРёС—РІСЃСЊРєРѕРіРѕ університету, Лауреат Державної премії України РІ галузі науки С– технікиЗакінчив кафедру фізики напівпровідників РљРёС—РІСЃСЊРєРѕРіРѕ Державного університету С–Рј. Рў.Р“.Шевченка РІ 1955 СЂ. С– Р±СѓРІ прийнятий РЅР° роботу РІ наукову лабораторію радіофізичного факультету. Р’ 1962 СЂ. захистив кандидатську дисертацію “Рсследование физических процессов РІ точечных диодах Рё РёС… СЃРІСЏР·Рё СЃРѕ свойствами полупроводника» (науковий керівник РїСЂРѕС„. Р’.Р„.Лашкарьов). РЈ 1968 СЂ. захистив докторську дисертацію В«Рсследование физических процессов РІ контакте металл-полупроводник». Пройшов шлях РІС–Рґ наукового співробітника, старшого наукового співробітника, завідуючого лабораторії РґРѕ професора, завідувача кафедри фізики напівпровідників радіофізичного факультету (1975-96 СЂ.СЂ.), Р· 1984-90 СЂ. обіймав посаду проректора Р· наукової роботи РљРёС—РІСЃСЊРєРѕРіРѕ університету. РќРёРј розроблено та прочитано 7 спеціальних нормативних РєСѓСЂСЃС–РІ. Серед РЅРёС…: “Контактні явища Сѓ напівпровідниках”, “Методи досліджень напівпровідників”, “Напівпровідникові сенсори” та інші. РћСЃРЅРѕРІРЅРёР№ напрям наукової роботи – вивчення фізичних РѕСЃРЅРѕРІ функціонування та застосування контактних структур С–, головним чином, контакту метал-напівпровідник Р· бар’єром Шоткі. Вперше експериментально обґрунтовано фізичну модель реального контакту, РІ СЏРєС–Р№ враховані зазір РјС–Р¶ металом та напівпровідником та поверхневі стани РІ контакті. РќР° базі цієї моделі розвинуто теорію реальних контактів, передбачено СЂСЏРґ РЅРѕРІРёС… фізичних ефектів: Р·РјС–РЅР° вольт-амперних характеристик Р· частотою, слабка залежність ємності РІС–Рґ напруги, ділянки вольт-амперних характеристик Р· негативним РѕРїРѕСЂРѕРј та інше. Розроблено теорію роботи надвисокочастотних приладів Р· бар’єром Шоткі, сонячних елементів РЅР° базі контакту метал-напівпровідник С– РЅР° РѕСЃРЅРѕРІС– результатів теорій проведена оптимізація параметрів цих приладів. РќР° РѕСЃРЅРѕРІС– контактних багатошарових структур створено та досліджено РЅРѕРІРёР№ клас приладів – біосенсори. Розроблено теорію проходження темнових та світлових струмів Сѓ багатошарових структурах Р· поруватим кремнієм. РџС–Рґ Р№РѕРіРѕ керівництвом захищено 30 кандидатських (РѕРґРЅР° Р· РЅРёС… громадянкою РљРќР ) та 4 докторських дисертації. Р’С–РЅ Р±СѓРІ членом редколегії декількох наукових Р·Р±С–СЂРЅРёРєС–РІ, зокрема такого СЏРє “Рзвестия РІСѓР·РѕРІ.Физика”. Був організатором С– керівником наукової школи Р· вивчення фізичних СЏРІРёС‰ РІ контактах метал-напівпровідник та приладів РЅР° С—С… РѕСЃРЅРѕРІС–. Р’РѕРЅР° бере відлік РІС–Рґ створення РЅР° кафедрі Проблемної лабораторії фізики та техніки напівпровідників, науковим керівником СЏРєРѕС— РІС–РЅ Р±СѓРІ РІ 1961-99 СЂСЂ. Школа має широке наукове визнання та послідовників СЏРє РІ Україні, так С– Р·Р° РєРѕСЂРґРѕРЅРѕРј. Був керівником Державної науково-технічної комплексної програми “Нетрадиційні джерела енергії, включаючі сонячні, вітрові та електрохімічні”, спільної міжвідомчої наукової програми РђРќ УРСРта РњС–РЅРІСѓР·Сѓ РЈР РЎР (1992-96 СЂСЂ.). Р’С–РЅ Р±СѓРІ Головою декількох Координаційних рад та секцій, Сѓ 1992 СЂ. організував та очолив академію Вищої школи України. Мав численні нагороди Р·Р° науково-навчальну діяльність. Серед РЅРёС…: Державна премія України РІ галузі науки С– техніки Сѓ 1970 СЂ., “Диплом почета” ВДНГ РЎР РЎР , почесна грамота РњР’РЎРЎРћ РЈР РЎР , Р±СѓРІ Лауреатом нагороди Ярослава РњСѓРґСЂРѕРіРѕ Академії наук Вищої школи України, двічі отримав звання “Соросовський професор”(1995, 1997 СЂСЂ.) та інші. Р„ автором 6 монографій. РЎРїРёСЃРѕРє Р№РѕРіРѕ статей та брошур налічує біля 300 найменувань. Р’С–РЅ С” РѕРґРЅРёРј Р· авторів більше РЅС–Р¶ 30 СЂСѓРєРѕРїРёСЃРЅРёС… звітів, захищених Р·Р° межами університету, 3 учбових РїРѕСЃС–Р±РЅРёРєС–РІ та 1 підручника. |
© 2007, Радіофізичний факультет | Автори |