Саме так, РЅР° виклик часу, що РїРѕРІ’язаний Р· необхідністю С– доцільністю розвитку електроніки, С– Р±СѓРІ утворений РІ далекому С– водночас близькому
Факультет вперше РІ Україні розпочав підготовку студентів Р·Р° трьома освітньо-кваліфікаційними СЂС–РІРЅСЏРјРё: бакалавр, спеціаліст, магістр. Навчальний процес Р· першого РґРЅСЏ заснування факультету нерозривно РїРѕРІ’язаний Р· науковою роботою. Саме це відповідає ключовій РІРёРјРѕР·С– РґРѕ підготовки фахівців Сѓ РїСЂРѕРІС–РґРЅРёС… університетах світу — РІ Україні встановилась С—С… назва СЏРє дослідницьких університетів.
Різноманітні форми проведення науково-навчального процесу, контролю знань студентів, організація їх самостійної роботи, тощо завжди були в центрі уваги колективу факультету, що дозволило задовольнити низку вимог Болонської Декларації у відповідності до інтеграційних науково-освітянських загальноєвропейських процесів.
Факультет завжди виконував і соціальну функцію. Студенти могли отримувати якісну вищу освіту як на стаціонарі, так і через вечірню форму навчання. А нині група викладачів, аспірантів і студентів ефективно працює над впровадженням в навчальний процес дистанційного навчання.
Здобутки колективу факультету обумовлені С– широкою співпрацею Р· інститутами Національної Академії Наук України, галузевими науково-дослідними інститутами, конструкторськими Р±СЋСЂРѕ, науково-навчальними центрами країн Європи, Америки, РђР·С–С—. Особливо слід відзначити плідну спільну роботу Р· факультетами СЂС–РґРЅРѕРіРѕ університету — біологічним, кібернетики, механіко-математичним, фізичним, хімічним, юридичним, соціології та психології, інститутами філології та журналістики.
Заснування факультету
Після закінчення РґСЂСѓРіРѕС— світової РІС–Р№РЅРё Радянський РЎРѕСЋР·, РІ складі СЏРєРѕРіРѕ тоді перебувала Україна, РґРѕРІРіРёР№ час знаходився РІ стані «С…олодної РІС–Р№РЅРё» Р·С– СЃРІРѕС—РјРё колишніми союзниками РїРѕ антигітлерівській коаліції. Цей час вимагав підтримки С– розвитку озброєнь РЅР° достатньому СЂС–РІРЅС–, забезпечити СЏРєРёР№ могли лише висококваліфіковані кадри, включаючи спеціалістів РІ галузі радіоелектроніки. Для підготовки таких фахівців Сѓ СРСРбуло створено 4 радіофізичних факультети, СЏРєС– вже 1953 СЂ. зробили перші РІРёРїСѓСЃРєРё кваліфікованих інженерів-дослідників (так називалися деякий час радіофізики). РћРґРёРЅ Р· таких факультетів було створено РІ РљРёС—РІСЃСЊРєРѕРјСѓ державному університеті С–Рј. Рў. Р“. Шевченка.
Юридично організація факультету розпочалась РЅР° початку 1952 СЂ. РІС–РґРїРѕРІС–РґРЅРёРјРё СѓСЂСЏРґРѕРІРёРјРё постановами, Р° Р№РѕРіРѕ фактичне створення започатковано наказами ректора РІ лютому 1952 СЂ. Базою РЅРѕРІРѕРіРѕ факультету став фізичний факультет, СЏРєРёР№ РІ той час очолював РґРѕС†. Р–РјСѓРґСЃСЊРєРёР№ Рћ. Р—. Р— введенням посади заступника декана — РЅРёРј було призначено СЃС‚. РІРёРєР». Дерюгіна Р†. Рђ., РІС–РЅ безпосередньо С– відповідав Р·Р° організацію радіофізичного факультету.
Організовувати довелось, власне кажучи, РІСЃРµ: навчальні С– наукові лабораторії, педагогічний колектив С–, найголовніше, здійснити набір студентів. Перед РЅРѕРІРёРј факультетом було поставлено завдання — зробити перший РІРёРїСѓСЃРє спеціалістів-радіофізиків вже 1953 СЂ. Для вирішення цієї задачі частину студентів старших РєСѓСЂСЃС–РІ фізичного факультету перевели РЅР° радіофізичний. РћРєСЂС–Рј цього, для навчання РЅР° факультет було запрошено кращих студентів педагогічних інститутів України. Ці студенти створили колектив
Влітку 1952 р. було проведено набір студентів на перший курс, особливість якого полягала в тому, що офіційно набір проводився на фізичний факультет. І лише після двох місяців спільного навчання частині студентів було запропоновано оформити навчання на радіофізичному факультеті. Так тривало декілька років.
Р’СЃС– ці особливості РїРѕРІ’язані Р· тим, що РІСЃРµ, що стосувалось радіофізичного факультету було утаємниченим, СЏРє С– РІС–РЅ сам. Навіть спочатку відкрито РЅРµ згадувалось РїСЂРѕ Р№РѕРіРѕ існування. Вже пізніше, через
Навчальний процес РЅР° радіофізичному факультеті було організовано РЅР° базі кафедри електрофізики (пізніше — фізичної електроніки), СЏРєРѕСЋ РЅР° той час керував чл.-РєРѕСЂ. РђРќ РЈР РЎР , РїСЂРѕС„. Моргуліс Рќ. Р”. До підготовки перших радіофізиків були залучені викладачі цієї кафедри Дерюгін Р†. Рђ., Гуртовий Рњ. Р„., СЃСѓРјС–СЃРЅРёРєРё Ляшенко Р’. Р†. (Інститут фізики РђРќ РЈР РЎР ), Бова Рќ. Р†., Р° також вчорашні студенти та аспіранти Городецький Р”. Рћ., Левитський РЎ. Рњ., Находкін Рњ. Р“., РЅР° СЏРєРёС… лягло величезне навантаження РїРѕ підготовці цілого СЂСЏРґСѓ РЅРѕРІРёС… лекційних РєСѓСЂСЃС–РІ, проведенні практичних занять, організації практикумів.
На першому етапі формування факультету досить непростою була організація наукових і навчальних лабораторій. Наказом ректора від 1 липня 1952 р. на базі кафедри електрофізики було створено 6 лабораторій радіофізичного факультету: надвисокочастотної електроніки і радіолокації, фізики вакууму, електронної спектроскопії і мікроскопії, фізики напівпровідників, електроніки, фізико-технічну експериментальну лабораторію.
Ці лабораторії стали РѕСЃРЅРѕРІРѕСЋ для проведення навчальної С– наукової роботи С– створених РЅР° РЅРѕРІРѕРјСѓ факультеті кафедр: електроніки (завідувач — РїСЂРѕС„. Моргуліс Рќ. Р”.), радіофізики (завідувач — СЃС‚. РІРёРєР». Дерюгін Р†. Рђ.), напівпровідників (завідувач — РїСЂРѕС„. Лашкарьов Р’. Р„.), електрофізики (завідувач — РґРѕС†. Карханін Р®. Р†.). Таємність РЅРµ обійшла С– назв кафедр. РЈСЃС– РІРѕРЅРё відкрито називались лише присвоєними С—Рј номерами: кафедра електрофізики мала перший номер, електроніки — РґСЂСѓРіРёР№, радіофізики — третій.
Для проведення організаційної, наукової та навчальної роботи, прийняття РґРѕ захисту дипломних СЂРѕР±С–С‚ наказом ректора РІС–Рґ 9 серпня 1952 СЂ. було створено закриту Вчену раду РІ складі: РґРѕС†. Р–РјСѓРґСЃСЊРєРёР№ Рћ. Р—. — голова, СЃС‚. РІРёРєР». Дерюгін Р†. Рђ. — заступник голови, РїСЂРѕС„. Моргуліс Рќ. Р”., РїСЂРѕС„. Давидов Рћ. РЎ. (РІ майбутньому — Герой Соціалістичної Праці, академік РђРќ РЈР РЎР , Лауреат Ленінської Премії, Директор Інституту теоретичної фізики РђРќ України), СЃС‚. РІРёРєР». Чепур Р”. Р’. (РІ майбутньому — Ректор Ужгородського університету, організатор фізичної наукової школи РІ Закарпатті), РґРѕС†. Карханін Р®. Р†., асист. Городецький Р”. Рћ., асист. Ганюк Р›. Рњ., асист. Березняковський Р„. Рњ., РїСЂРѕС„. Герцрікен РЎ. Р”., асист. Майборода Р„. Р”. — члени ради.
Р’
Підготовка фахівців велась з трьох спеціальностей: фізичної електроніки, фізики напівпровідників і квантової радіофізики (на той час радіофізики) за програмами стаціонарного відділення. Оскільки денне та річне навчальне навантаження на вечірньому відділенні було меншим, ніж на стаціонарі, то термін навчання на вечірньому відділенні було збільшено до 6 років.
В складних умовах дефіциту викладацьких кадрів і навчальних площ щорічно вечірнє відділення факультету готувало 50 спеціалістів-радіофізиків. За роки існування вечірнього відділення (останній випуск відбувся 1995 р.), факультет отримував тільки позитивні відгуки на своїх випускників. Багато з них з часом отримали наукові ступені чи обійняли керівні посади державного рівня. Отже, функціонування вечірнього відділення зіграло важливу роль у вирішенні кадрових проблем у радіоелектронній галузі України взагалі, а Києва і області зокрема.
Таким чином, протягом
Значний внесок РІ розвиток факультету зробили заступники декана Р· навчальної роботи Старостін Рџ. Рў., Находкін Рњ. Р“., Михайловський Рњ. Р†., Бойко Р‘. Рђ., РљСѓС† Рџ. РЎ. (обіймав цю посаду 28 СЂРѕРєС–РІ), Григорук Р’. Р†. та Р· наукової роботи Мельник Рџ. Р’. (обіймав цю посаду 35 СЂРѕРєС–РІ), Горчинський Рћ. Р”. Зараз заступниками декана С” РґРѕС†. Савенков РЎ. Рњ. (Р· навчальної роботи), РґРѕС†. Нетреба Рђ. Р’. (Р· наукової роботи), ас. Іванюта Рћ. Рњ. (Р· РІРёС…РѕРІРЅРѕС— роботи РІ гуртожитку) та РґРѕС†. Нечипорук Рћ. Р®. (РїРѕ роботі С–Р· студентами та міжнародних Р·РІ’СЏР·РєС–РІ).
Розвиток і досягнення факультету
РћСЃРЅРѕРІРЅРёРј принципом навчального процесу РЅР° радіофізичному факультеті стало поєднання РІРёСЃРѕРєРѕС— якості фундаментальної підготовки студентів Сѓ галузях фізики С–, Р· іншого Р±РѕРєСѓ, математики та сучасної електроніки. Навчальний процес РІ науках, що швидко розвиваються — електроніці та обчислювальній техніці, має базуватись РЅР° знаннях сьогоднішнього РґРЅСЏ, СЏРєС– можна отримати, лише поєднуючи навчання Р· науковими дослідженнями. Практично кожний СЂС–Рє, Сѓ відповідності РґРѕ РІРёРјРѕРі науки та виробництва, РґРѕ навчальних програм факультету включаються
За 55 років існування радіофізичного факультету понад 6 тисяч фахівців отримали дипломи про вищу освіту. Нині на факультеті працює 85 викладачів, у тому числі 5 академіків НАН України, 27 професорів, 42 доценти, 19 лауреатів Державних премій України та СРСР.
Фінансування наукових досліджень і, в першу чергу, за рахунок госпдоговірної тематики дозволило обладнати навчальні лабораторії із загальних дисциплін та спеціальні практикуми.
Радіофізичний факультет першим в Україні перейшов на багатоступеневу систему підготовки спеціалістів і зараз готує бакалаврів (4 роки навчання), спеціалістів (5 років) та магістрів (6 років).
РћСЃРЅРѕРІРЅРёРјРё досягненнями Р±СѓРґСЊ-СЏРєРѕРіРѕ факультету університету С” СѓСЃРїС–С…Рё Р№РѕРіРѕ РІРёРїСѓСЃРєРЅРёРєС–РІ. Р„ чим пишатися С– радіофізичному факультету. Серед Р№РѕРіРѕ РІРёРїСѓСЃРєРЅРёРєС–РІ С” академіки С– член-кореспонденти Національної Академії Наук України, Академії Педагогічних Наук України, інших Академій, багато докторів С– кандидатів фізико-математичних наук, лауреатів Державної премії РІ галузі науки С– техніки, чимало РІРёРїСѓСЃРєРЅРёРєС–РІ займало С– продовжує займати РІРёСЃРѕРєС– посади РЅР° підприємствах, РїРѕРІ’язаних Р· електронікою. Разом Р· тим, значна кількість РІРёРїСѓСЃРєРЅРёРєС–РІ факультету обрана депутатами Верховної Ради та місцевих рад, призначена міністрами та С—С… заступниками, створили С– керують РІС–РґРѕРјРёРјРё приватними підприємствами СЂС–Р·РЅРѕРіРѕ профілю.
Факультет має СЃРІРѕС— традиції, наукові школи, РґРѕР±СЂРµ обладнані лабораторії, досвідчених С– молодих професорів та викладачів. Щорічно зростає РєРѕРЅРєСѓСЂСЃ РЅР° радіофізичний факультет. РЈ тих, хто РїРѕРІ’язав СЃРІРѕС” життя Р· радіофізичним факультетом, багато планів.
РќР° радіофізичному факультеті РІ навчальний процес широко впроваджуються РєРѕРјРї’ютерні технології. Створено навчальний РєРѕРјРї’ютерний центр Р· вільним С– безкоштовним доступом РґРѕ Інтернету студентів, викладачів С– співробітників. РўСѓС‚ студенти молодших РєСѓСЂСЃС–РІ вивчають сучасні РјРѕРІРё програмування та методи обчислень, здобувають навички Р· РєРѕРјРї’ютерної графіки, виконують лабораторні роботи Р· РєРѕРјРї’ютерного моделювання процесів Сѓ радіоелектронних схемах. Такі класи функціонують С– РЅР° спеціалізуючих кафедрах, РґРµ студенти старших РєСѓСЂСЃС–РІ засвоюють методи мережевих технологій, автоматизації фізичних експериментів, проводять наукові дослідження.
Викладачами факультету розроблено програми РєРѕРјРї’ютерного тестування, СЏРєС– використовуються для поточного контролю знань студентів, створено мультимедійні навчальні РєСѓСЂСЃРё, електронні версії паперових підручників С– РїРѕСЃС–Р±РЅРёРєС–РІ Р· багатьох дисциплін, електронні бібліотеки. Файли цих матеріалів зберігаються РЅР° факультетському сервері, С– РґРѕ РЅРёС… можуть звертатися РІСЃС– студенти.
Майже РІ кожній лабораторії студенти мають можливість користуватися мережею Інтернет, отримуючи необхідну інформацію Р· вітчизняних та закордонних університетів, інших джерел. Студентами С– викладачами створено WEB-сторінку факультету, через СЏРєСѓ РїСЂРѕ факультет можна дізнатися Р· Р±СѓРґСЊ-СЏРєРѕРіРѕ РєРѕРјРї’ютера земної кулі.
Студенти старших РєСѓСЂСЃС–РІ, аспіранти та співробітники факультету можуть також безпосередньо працювати С– РІ загальноуніверситетському обчислювальному центрі. Керівником цього центру С” завідувач кафедри радіофізичного факультету Бойко Р®. Р’., Р° більшість РїСЂРѕРІС–РґРЅРёС… співробітників центру — наші колишні РІРёРїСѓСЃРєРЅРёРєРё та студенти старших РєСѓСЂСЃС–РІ.
Наукові дослідження вчених факультету концентруються навколо таких наукових напрямків, СЏРє: радіофізика; фізична, РјС–РєСЂРѕ-, нано- С– квантова електроніка; фізика низькотемпературної плазми; напівпровідникова електроніка та структури РЅР° РѕСЃРЅРѕРІС– напівпровідників; медична радіофізика. Останні СЂРѕРєРё дослідження ведуться Р·РіС–РґРЅРѕ Р· комплексними програмами: «РќРѕРІС–тні та ресурсозберігаючі технології» (кер. — академік РќРђРќ України, РїСЂРѕС„. Находкін Рњ. Р“.), «Р†РЅС„орматизація суспільства» (кер. — академік РђРџРќ України, РїСЂРѕС„. Третяк Рћ. Р’.), «РњР°С‚еріали С– речовини» (кер. — академік РќРђРќ України, РїСЂРѕС„. Скопенко Р’. Р’.) та «Р—РґРѕСЂРѕРІ’СЏ людини» (кер. — РїСЂРѕС„. Остапченко Р›. Р†.).
Колектив факультету С” співвиконавцем програми Міністерства освіти С– науки України «Р”ослідження адсорбційних, каталітичних та РєРѕСЂРѕР·С–Р№РЅРёС… СЏРІРёС‰ РЅР° поверхні твердих тіл Р· метою розвитку наукових РѕСЃРЅРѕРІ ресурсозберігаючих технологій», науковий керівник — академік РќРђРќ України, РїСЂРѕС„. Находкін Рњ. Р“.Починаючи Р· 1994 СЂРѕРєСѓ ця тематика включена Сѓ спільну Р РѕСЃС–Р№СЃСЊРєРѕ-Українську програму «РќР°РЅРѕРµР»РµРєС‚СЂРѕРЅС–РєР°», науковий керівник РІС–Рґ України — академік Находкін Рњ. Р“., Р° Р· СЂРѕСЃС–Р№СЃСЊРєСЂРѕС— сторони — Лауреат Нобелевської Премії, академік Алфьоров Р–. Р†.
Високий рівень наукових досліджень сприяв створенню на факультеті трьох ПНДЛ за постановами Державного комітету з науки і техніки СРСРта Ради міністрів УРСР: фізичної електроніки (1964 р.), фізики та техніки напівпровідників (1965 р.), квантової радіофізики (1969 р.). Такої кількості ПНДЛ не було на жодному факультеті університету.
Пізніше структури факультету було розширено і наказом ректора 1992 р. створено ряд нових наукових лабораторій: електронної спектроскопії, оптичної квантової електроніки, оптичної і мікрохвильової обробки інформації і теорії середовищ, автоматизації наукових досліджень.
Р’ рамках цих програм РѕСЃРЅРѕРІРЅРёРјРё напрямками досліджень С”: наноелектроніка; процеси РІ низькотемпературній та запорошеній плазмі, взаємодія Р· плазмою електронних пучків; плазмохімія; процеси емісії заряджених частинок Р· поверхні твердих тіл; взаємодія заряджених частинок та електромагнітного випромінювання Р· поверхнею твердого тіла; генераційно-рекомбінаційні процеси Сѓ сильно легованих С– варізонних напівпровідниках; СЂСѓС… РЅРѕСЃС–С—РІ заряду РІ напівпровідниках РІ умовах сильного відхилення РІС–Рґ термодинамічної рівноваги; процеси адсорбції та каталітичні явища РЅР° поверхні твердих тіл. Фізичні властивості границі метал-напівпровідник С– Р№РѕРіРѕ використання РІ сучасній електроніці; часове С– просторове управління лазерним випромінюванням; активні нелінійні середовища лазерної спектроскопії; когерентні С– нелінійні електромагнітні процеси РІ оптичному, рентгенівському С– гама-діапазоні; фізичні процеси Сѓ волоконно-оптичних лініях Р·РІ’СЏР·РєСѓ; СЃРїС–РЅ-хвильова електродинаміка С– електроніка; надвисокочастотні інформаційні технології; високотемпературна надпровідність та використання Сѓ сучасних приладах РѕР±СЂРѕР±РєРё інформації; фізика поверхні та приповерхневих СЏРІРёС‰, СЏРє РѕСЃРЅРѕРІРё діагностики та розвитку РјС–РєСЂРѕ- та наноелектроніки; фізичні РѕСЃРЅРѕРІРё використання різноманітних СЏРІРёС‰ для запису, РѕР±СЂРѕР±РєРё, накопичення та відтворення інформації; СЂРѕР·СЂРѕР±РєР° РЅРѕРІРёС… радіофізичних методів для діагностики та лікування людей.
Особливо слід відзначити, що наукові дослідження на факультеті є водночас і фундаментальними, і прикладними. Ще однією характерною особливістю проведення наукової роботи є широке залучення до неї студентів, які навчаються на молодших курсах. Це відповідає суті вимог Болонського процесу: навчання через наукові дослідження.
Наукові школи
З першого дня існування факультету найбільша увага приділялася організації наукових досліджень, рівень яких мав відповідати сучасним світовим досягненням. Завдяки наполегливій роботі всього науково-викладацького колективу на факультеті склалися всесвітньовідомі наукові школи, які успішно діють і нині, примножуючи знання у відповідних галузях науки й техніки.
Найстарішою з них є школа фізичної електроніки та фізики поверхні. Вона є складовою частиною київської наукової школи фізичної електроніки, заснованої понад 70 років тому чл.-кор. АН УРСР, проф. Моргулісом Н. Д. в Інституті фізики АН УРСРта Київському університеті, де він почав працювати 1932 року.
Робота університетської школи фізичної електроніки ведеться Сѓ РґРІРѕС… напрямах — емісійної електроніки С– фізики низькотемпературної плазми. РЈ довоєнні часи були проведені фундаментальні дослідження РїСЂРёСЂРѕРґРё катодного розпорошення С– фізики РѕРєСЃРёРґРЅРѕРіРѕ термокатода. РЈ 50-ті СЂСЂ. університет став РѕРґРЅРёРј Р· перших наукових закладів Сѓ країні, РґРµ розпочалися систематичні дослідження фізики С– техніки надвисокого вакууму. Р—Р° РґРѕРїРѕРјРѕРіРѕСЋ розробленої високовакуумної мас-спектрометричної методики було виконано цикл досліджень Р· фізики РѕРєСЃРёРґРЅРѕРіРѕ катоду С– вивчені загальні закономірності кінетики випаровування кристалів хімічних речовин Сѓ вакуумі.
Тоді ж, вперше в СРСР, методом дифракції повільних електронів розпочалися дослідження структури плівок, адсорбованих на поверхні твердих тіл. Використовуючи цю методику, вивчено процеси утворення моноатомних плівок на гранях монокристалів тугоплавких металів і кремнію.
Розроблені методи спектроскопії твердого тіла С– плівок дали можливість СЂРѕР·РІ’язати проблеми вдосконалення технології виготовлення інтегральних мікросхем. Р РѕР·РІ’язання фундаментальної задачі фізики взаємодії електронів С–Р· поверхнею твердих тіл дозволило створити РѕСЃРЅРѕРІРё кількісної електронної спектроскопії.
Широке визнання отримали дослідження процесів взаємодії електронів середніх енергій з твердим тілом, завдяки чому було визначено важливі характеристики кінетики руху електронів у ньому. На базі цих досліджень сформувався новий науковий напрям: вивчення процесів утворення прихованого електростатичного зображення при термопластичному записі інформації і його прикладні застосування.
Дослідження фізики низькотемпературної плазми первісно були РїРѕРІ’язані, головним чином, Р· проблемою безпосереднього перетворення теплової енергії РІ електричну Р·Р° РґРѕРїРѕРјРѕРіРѕСЋ термоемісійних перетворювачів. Цей напрям Р±СѓРІ закладений Сѓ
Вивчення фізики низькотемпературної плазми включає дослідження Р· надвисокочастотних властивостей плазми, зокрема, РїРѕРІ’язаних С–Р· взаємодією електронних пучків Р· плазмою, СЂРѕР·СЂРѕР±РєРѕСЋ РќР’Р§-методів діагностики плазми та взаємодією радіохвиль Р· плазмовими утвореннями Сѓ верхній атмосфері С– РєРѕСЃРјРѕСЃС–; експериментальні дослідження газових СЂРѕР·СЂСЏРґС–РІ, зокрема, Р· метою С—С… застосування РІ плазмохімії та сучасних енергоефективних технологіях, Р° також комплексні дослідження СЂС–Р·РЅРёС… типів РґСѓРіРѕРІРѕРіРѕ СЂРѕР·СЂСЏРґСѓ РІ інтересах електротехнічних застосувань та електрозварювання; чисельне моделювання запорошеної плазми для керованого термоядерного синтезу та технологічних застосувань Сѓ сучасній електроніці.
За результатами виконаних наукових досліджень опубліковано 14 монографій.
Члени університетської школи фізичної електроніки захистили понад 40 кандидатських С– 9 докторських дисертацій (Находкін Рњ. Р“., Левитський РЎ. Рњ., Городецький Р”. Рћ., РџС–РєСѓСЃ Р“. РЇ., Кувшинський Рњ. Р“., Чутов Р®. Р†., РђРЅС–СЃС–РјРѕРІ Р†. Рћ., Жовтянський Р’. Рђ., Черняк Р’. РЇ.). Шість фахівців стали Лауреатами державних премій України Сѓ галузі науки С– техніки (Находкін Рњ. Р“. та Кувшинський Рњ. Р“. — двічі, Нємцев Р’. Рђ., Городецький Р”. Рћ., Мельник Рџ. Р’., Р’РѕСЃРєРѕР±РѕР№РЅС–РєРѕРІ Рћ. Рњ.). Керівником наукової школи СЃСЊРѕРіРѕРґРЅС– С” Находкін Рњ. Р“.
Університетська наукова школа фізики напівпровідників є також частиною київської школи, яка виникла наприкінці
На становлення університетської школи фізики напівпровідників великий вплив мало створення 1954 року наукової лабораторії, основним напрямом діяльності якої в перші роки існування були розробка та дослідження НВЧ-діодів. Засновником і науковим керівником лабораторії був Лашкарьов В. Є. 1961 року вийшли постанови про створення ПНДЛ напівпровідників, а 1964 року її реорганізували у проблемну лабораторію фізики та техніки напівпровідників, що мала відділи напівпровідникових НВЧ-приладів і фотоелектричних приладів.
Наукові дослідження, що характеризують напрями роботи школи фізики напівпровідників, включають теоретичні та експериментальні вивчення зонної структури напівпровідників, енергетичних і рекомбінаційних характеристик домішкових і власних дефектів кристалічної ґратки та їх взаємодію; кінетичних явищ у напівпровідниковій плазмі; законів дрейфу; дифузії і рекомбінації нерівноважних носіїв у варизонних структурах.
При дослідженні фізичних властивостей твердих розчинів на основі сполук А3В5-А2В6 показана можливість значної зміни параметрів кристалічної ґратки та енергетичного спектра електронів твердих розчинів шляхом подвійного легування. Виявлено новий тип дрейфу електронно-діркової плазми в напівпровіднику, який зумовлено градієнтом рухливостей носіїв заряду, а також термічний градієнтно-дірковий домен, що виникає при неоднорідному джоулевому розігріві зразка; пінч-ефект в Gе, а також індуктивний імпеданс ударно-іонізованої плазми в InSb. Розвинуто теорію та запропоновано метод дослідження напівпровідників і діелектриків шляхом вимірювання холівського струму.
Теоретично передбачено та експериментально досліджено СЂСЏРґ РЅРѕРІРёС… ефектів, РїРѕРІ’язаних С–Р· власнодефектною провідністю С– рівноважною самокомпенсацією провідності РІ напівпровідниках, процеси утворення Р№ поведінки радіаційних С– лазерних дефектів Сѓ РЅРёС….
При дослідженні нерівноважної провідності в напівпровіднику з одночасною дією на нього постійного магнітного поля і резонансного НВЧ-випромінювання встановлена природа спін-залежного механізму електронних переходів у забороненій зоні кремнію. Передбачені й знайдені ефекти спін-залежного переносу струму в напівпровідниках і напівпровідникових структурах. Дослідження спін-залежної рекомбінації дали можливість розширити фундаментальні уявлення про специфіку рекомбінації в твердому тілі із складним спектром локалізованих станів. Побудовано квантову теорію спін-залежної рекомбінації у широкому діапазоні магнітних полів, проведено унікальні експериментальні дослідження у слабких магнітних полях.
Протягом багатьох СЂРѕРєС–РІ проводились дослідження фізичних РѕСЃРЅРѕРІ роботи та застосуванням контактних багатошарових структур С–, насамперед, контакту метал-напівпровідник Р· бар’єром Шотткі. РЈ результаті досліджень теоретично та експериментально обґрунтована фізична модель реального контакту, РІ СЏРєС–Р№ було враховано проміжок РјС–Р¶ металом С– напівпровідником та поверхневі стани РІ контакті. РќР° базі цієї моделі розвинута теорія реальних контактів Сѓ наближеннях СЏРє РґС–РѕРґРЅРѕС—, так С– дифузійної теорії. Передбачено СЂСЏРґ РЅРѕРІРёС… фізичних ефектів, серед СЏРєРёС… Р·РјС–РЅР° вольтамперних характеристик Р· частотою, слабка залежність ємності РІС–Рґ напруги, індуктивний характер реактивної складової РїРѕРІРЅРѕРіРѕ РѕРїРѕСЂСѓ, тощо.
РќР° цій РѕСЃРЅРѕРІС– передбачено РЅРѕРІС– ефекти: виникнення РІС–Рґ’ємної диференційної ємності контакту РїСЂРё струмовому порушенні функції розподілу РЅРѕСЃС–С—РІ заряду; РІС–Рґ’ємного диференційного РѕРїРѕСЂСѓ та температурної стабілізації струму РїСЂРё тунельно-резонансному проходженні струму; формування керованих хвиль зарядової густини тощо. РљСЂС–Рј того, розроблені РЅРѕРІС– методики дослідження параметрів властивостей напівпровідників С– напівпровідникових структур; сформульовані принципи визначення Р№ прогнозування електрофізичних параметрів контактних структур, що працюють Сѓ заданих умовах.
Для вивчення поверхневих властивостей деяких напівпровідників застосовано комплекс методів, зокрема, відкрито метод люмінесцентного ефекту поля, метод струму Холла.
Проведені наукові дослідження узагальнені в 22-х монографіях.
Члени університетської школи фізики напівпровідників захистили понад 50 кандидатських С– 13 докторських дисертацій (Стріха Р’. Р†., Добровольський Р’. Рњ., Пека Р“. Рџ., Бродовий Р’. Рђ., Холодар Р“. Рђ., Р’РѕСЂРѕР±Р№РѕРІ Р®. Р’., Третяк Рћ. Р’., Шека Р”. Р†., Жаркіх Р®. РЎ., Бузаньова Р„. Р’., Ільченко Р’. Р’., Скришевський Р’. Рђ., Кузнєцов Р“. Р’.). Серед вихованців школи 21 лауреат державних премій СРСРта РЈР РЎР , понад 20 академіків С– член-кореспондентів РќРђРќ України та інших академій. Звання Лауреатів державних премій України РІ галузі науки С– техніки отримали 7 вчених факультету (Стріха Р’. Р†., Добровольський Р’. Рњ. — двічі, Павлюк РЎ. Рџ., Холодар Р“. Рђ., Шека Р”. Р†., Пека Р“. Рџ., Третяк Рћ. Р’.). Керівником наукової школи фізики напівпровідників СЃСЊРѕРіРѕРґРЅС– С” Третяк Рћ. Р’.
Наукова школа з квантової радіофізики та функціональної електроніки виникла в 50-ті роки одночасно зі створенням радіофізичного факультету. Її засновником є Дерюгін І. А., один з організаторів і перших керівників факультету.
Напрями роботи школи РїРѕРІ’язані Р· дослідженням взаємодії РќР’Р§-випромінювання Р· магнітновпорядкованими кристалами та оптичного випромінювання Р· електро-, акусто- С– магнітновпорядкованими середовищами.
Чимало наукових СЂРѕР·СЂРѕР±РѕРє школи мають світове значення. Зокрема, теоретично обґрунтовано та експериментально підтверджено ефект взаємодї СЃРїС–РЅРѕРІРёС… хвиль Р· парамагнітним кристалом С– запропоновано мазер біжучої хвилі РЅРѕРІРѕРіРѕ типу. Розроблений метод емісійної спектроскопії дав можливість вперше вивчити власне та вимушене електромагнітне випромінювання СЃРїС–РЅРѕРІРѕС— системи магнетиків. Подальший розвиток досліджень СЃРїСЂРёСЏРІ створенню РЅРѕРІРѕРіРѕ напряму радіофізики — СЃРїС–РЅ-хвильової електроніки, що ґрунтується РЅР° електродинаміці анізотропних неоднорідних багатошарових структур С– технології феритових плівок. Для вивчення РІСЃС–С… РѕСЃРЅРѕРІРЅРёС… параметрів анізотропних феритових плівок створено РІС–РґРїРѕРІС–РґРЅСѓ теорію та розроблено оригінальну експериментальну методику радіоспектроскопії магнітостатичних СЃРїС–РЅРѕРІРёС… хвиль. Запропоновано та випробувано РЅРёР·РєСѓ оригінальних приладів для РѕР±СЂРѕР±РєРё РќР’Р§-сигналів: фільтрів, мультиплексорів, ліній затримки, тощо.
Розроблено сучасні лазерні скануючі РјС–РєСЂРѕСЃРєРѕРїРё для отримання тривимірної інформації РїСЂРѕ досліджувані РѕР±’єкти. Вперше Сѓ світі розроблено трипроменевий лазерний диференційно-фазовий скануючий РјС–РєСЂРѕСЃРєРѕРї, Р·Р° РґРѕРїРѕРјРѕРіРѕСЋ СЏРєРѕРіРѕ можна отримувати інформацію РїСЂРѕ рельєф поверхні Р· точністю РґРѕ РѕРґРЅРѕРіРѕ нанометра. Створено сучасні РєРѕРјРї’ютерні системи для керування акустооптичними приладами, завдяки чому вдалося розробити лазерні проектори для відтворення інформації РЅР° великих екранах; створено прецизійний вимірювач сильних постійних струмів; оригінальні оптоелектронні елементи: канальні електрооптичні модулятори світла мікрохвильового діапазону РЅР° Р·РІ’язаних хвильоводах та магнітооптичні ізолятори; магнітооптичні брегівські РєРѕРјС–СЂРєРё; розроблено універсальний оптичний спектрометр С–Р· рекордною роздільною здатністю.
Розроблено нові феромагнітні матеріали з підвищеним значенням порога нестабільності, які стали основою для створення приладів НВЧ високого рівня потужності. Створено перетворювачі триміліметрового діапазону хвиль з підвищеною селективністю на основі діелектричних хвильоводів і резонаторів; на базі плівок високотемпературних напівпровідників створено приймальний пристрій восьмиміліметрового діапазону довжин хвиль.
Розроблено та апробовано у клінічних випробуваннях спосіб поліхромної реконструкції магніторезонансних зображень. Розроблено новий спосіб ультразвукової діагностики паренхіматозних органів, який впроваджено в українському національному центрі радіаційної медицини АМН України.
Створено та апробовано алгоритм РѕР±СЂРѕР±РєРё інтроскопічних зображень С– РєРѕРјРї’ютерного планування лікування захворювань головного РјРѕР·РєСѓ та щитовидної залози.
За результатами цих досліджень опубліковано 9 монографій.
Члени школи радіофізики С– функціональної електроніки захистили більше 50 кандидатських С– 10 докторських дисертацій (Дерюгін Р†. Рђ., РўСЂРѕРЅСЊРєРѕ Р’. Р”., Воронцов Р’. Р†., Соломко Рђ. Рћ., Данилов Р’. Р’., Ляшенко Рњ. Р†., Мелков Р“. Рђ., Висоцький Р’. Р†., Зависляк Р†. Р’., Серга Рћ. Рћ.). РўСЂРѕС” вчених школи удостоєні звання лауреатів державних премій РЎР РЎР — Дерюгін Р†. Рђ., Данилов Р’. Р’., Ляшенко Рњ. Р†. Керівниками цієї наукової школи СЃСЊРѕРіРѕРґРЅС– С” Мелков Р“. Рђ. та Данилов Р’. Р’.
Наукову школу Р· нелінійної оптики започаткували роботи чл.-РєРѕСЂ. РђРќ РЈР РЎР , РїСЂРѕС„. Конділенка Р†. Р†. РІ 1940-РІС– СЂСЂ. РЅР° фізичному факультеті. 1963 СЂРѕРєСѓ, коли Конділенко Р†. Р†. та Р№РѕРіРѕ учні стали співробітниками радіофізичного факультету С– було створено кафедру молекулярної С– радіоспектроскопії, розвиток школи отримав потужний імпульс. 1972 СЂРѕРєСѓ, Сѓ Р·РІ’СЏР·РєСѓ Р· потребами часу С– значними науковими успіхами РІ галузі нелінійних оптичних процесів, ця кафедра була перетворена РІ кафедру нелінійної оптики.
Творчий колектив школи успішно виконав масштабний цикл фундаментальних досліджень Р· визначення РїСЂРёСЂРѕРґРё діелектричних С– електрооптичних властивостей кристалів та дифузійних мікрохвильоводів світла, Р·’ясуванні механізмів лінійного електрооптичного ефекту, дослідженні РїСЂРѕСЏРІСѓ внутрішньо- та міжмолекулярної взаємодії РІ рідинах, впливу ексітонних станів РЅР° спектри спонтанного комбінаційного розсіювання, закономірностей формування вимушеного та інверсного комбінаційного розсіювання, особливостей взаємодії фононів РІС–Рґ Р±СѓРґРѕРІРё кристалу, СЂРѕР·СЂРѕР±РєРё та вдосконалення електрооптичних методів просторового С– спектрального управління енергетичних, часових С– спектральних характеристик випромінювання складних оптичних квантових генераторів, СЂРѕР·СЂРѕР±РєРё та створення діючих макетів комбінаційних лідарів.
Розвиток теорії нелінійних поляризацій дав можливість визначити фізичні закономірності вимушеного С– спонтанного комбінаційного розсіювання світла РЅР° РѕР±’ємних С– поверхневих поляритонах С– фононах Сѓ кристалах. Розроблено статистичний метод спектральної теорії помноження С– змішування оптичних частот, вивчено СЂСЏРґ фізичних закономірностей детектування інфрачервоного випромінювання Р·Р° РґРѕРїРѕРјРѕРіРѕСЋ Р№РѕРіРѕ параметричного перетворення Р· підвищенням частоти.
Застосування цих теоретичних досліджень Сѓ поєднанні Р· методикою спектроскопії комбінаційного розсіювання світла сприяло створенню РЅРѕРІРѕРіРѕ ефективного напряму лазерної спектроскопії — інфрачервоної люмінесценції. Розроблено методику розрахунку С– чисельно досліджено конкретні фізичні закономірності нелінійно-оптичного перетворення частот всередині лазерного резонатора.
Проведено цикл досліджень структури хвильового фронту РїСЂРё вимушеному розсіюванні, Р° також встановлено, що РїСЂРё вимушеному температурному розсіюванні РїС–Рґ кутом хвильовий фронт спряжено Р· хвильовим фронтом збуджуваної хвилі. Завдяки цьому запропоновано РЅРѕРІРёР№ тип модулятора добротності лазерного резонатора — адаптивний модулятор добротності. Вивчено закономірності корекції хвильового фронту РїСЂРё Р№РѕРіРѕ оберненні Сѓ волоконних світловодах РЅР° РѕСЃРЅРѕРІС– нелінійно-оптичних СЏРІРёС‰. Встановлено характер взаємодії імпульсів (трансформацію С—С… параметрів) Р· оптичними хвилеводами. Досліджено особливості відновлення просторової С– поляризаційної структури випромінювання, СЏРєРµ пройшло багатомодовий волоконний хвилевід.
При дослідженні за допомогою інфрачервоної спектроскопії були отримані унікальні кількісні дані з абсорбції і дисперсії показника заломлення, температурної поведінки ряду рідин, молекулярних та іонно-ковалентних кристалів, проведені широкі дослідження класичних коливальних спектрів домішкових молекулярних іонів у різних лужно-галоїдних кристалічних матрицях, визначена будова ближнього оточення та її вплив на резонансне розщеплення коливальних рівнів молекулярних утворень.
Результати досліджень узагальнено у 6-ти монографіях.
Члени наукової школи захистили понад 30 кандидатських та 12 докторських дисертацій (Конділенко Р†. Р†., Стрижевський Р’. Р›., Цященко Р®. Рџ., РћР±СѓС…РѕРІСЃСЊРєРёР№ Р’. Р’., Коротков Рџ. Рђ., Чепілко Рњ. Р†., Григорук Р’. Р†., Говорун Р”. Рњ., Данчук Р’. Р”., Литвинов Р“. РЎ., Овечко Р’. РЎ., Суходольський Рђ. Р’.). Двоє Р· РЅРёС… — Григорук Р’. Р†. С– Коротков Рџ. Рђ. — удостоєні звання лауреатів Державної премії України РІ галузі науки С– техніки.
Радіофізичний факультет сьогодні
Закладена при створенні факультету програма розвитку успішно виконується і в сучасних умовах. Це справедливо для всіх напрямків роботи колективу: навчального, наукового, методологічного, виховного. Так, за роки існування факультету його викладачі та співробітники захистили понад 300 кандидатських та 60 докторських дисертацій, опублікували більше 7000 статей, 70 монографій, 110 навчальних посібників та підручників, отримали майже 500 авторських свідоцтв на винаходи.
Наукові досягнення
Лауреатами Премії Ради Міністрів СРСРстали Малютенко Р’. Рљ. та Погорілий РЎ. Р”., іменних Премій РќРђРќ України — Бар’яхтар Р’. Р“. (тричі), Білоколос Р„. Р”., Добровольський Р’. Рњ., Коблянський Р®. Р’., Мелков Р“. Рђ., Литовченко Р’. Р“., Стрижевський Р’. Р›., Шека Р”. Р”., звання «Р—аслужений РґС–СЏС‡ науки С– техніки» отримали Бар’яхтар Р’. Р“., Білоколос Р„. Р”., Лисенко Р’. РЎ., Литовченко Р’. Р“., Мелков Р“. Рђ., Находкін Рњ. Р“., Наумовець Рђ. Р“., Сальков Р•. Рђ., Третяк Рћ. Р’.
Великим є список випускників факультету, які отримали Державну премію СРСР, УРСР, України в галузі науки і техніки за роботи, виконані в інших організаціях: Бугай О. А., Гвоздецький В. С., Добролеж С. О., Калмановський В. Г., Кравченко В. Й., Корчевой Ю. П., Кот П. О., Лісітченко В. В., Литовченко В. Г., Ляшенко Л. В., Малютенко В. К., Ораєвський В. М., Петров Л. А., Погорілий А. М., Ракітін С. П., Романюк Л. І., Снітко О. В., Смовж А. К., Соскін М. С., Тхорик Ю. В., Топчій Д. Г., Чайка Г. Є., Шевчук О. Б., Шейкман М. К.
Дійсними членами Національної Академії наук України обрано РІРёРїСѓСЃРєРЅРёРєС–РІ, викладачів та співробітників факультету Бар’яхтара Р’. Р“., Бродина Рњ. РЎ. (Лауреат Ленінської Премії), Давидова Рћ. РЎ., Загороднього Рђ. Р“., Костюка Рџ. Р“., Корчевого Р®. Рџ., Лашкарьова Р’. Р„., Лисицю Рњ. Рџ., Магуру Р†. РЎ., Наумовця Рђ. Р“., Находкіна Рњ. Р“., Ситенка Рћ. Р“., Ситька Рћ. Р’., РЇРєРѕРІРєС–РЅР° Рђ. Рћ., Р° член-кореспонтентами цієї Академії — Бублика Р‘. Рњ., Говоруна Р”. Рњ., Конділенка Р†. Р†., Кривоглаза Рњ. Рћ., Лисенка Р’. РЎ., Литовченка Р’. Р“., Моргуліса Рќ. Р”., Назаренка Рћ. Рљ., Нестеренка Р‘. Рћ., Одулова РЎ. Р“., Погорілого Рђ. Рњ., Птушинського Р®. Р“., Рябченка РЎ. Рњ., Сагача Р’. Р¤., Солошенка Р†. Рћ., РЎРѕСЃРєС–РЅР° Рњ. РЎ., Шейнкмана Рњ. Рљ., Шпака Рњ. Рў. Дійсним членом Національної Академії Педагогічних наук України С” Третяк Рћ. Р’.
Звання «Р—аслужений професор РљРёС—РІСЃСЊРєРѕРіРѕ національного університету імені Тараса Шевченка» удостоєні Городецький Р”. Рћ., Находкін Рњ. Р“., Левитський РЎ. Рњ., Р° Лауреатами премії імені Тараса Шевченка нашого університету стали Григорук Р’. Р†., Данилов Р’. Р’., Зависляк Р†. Р’., Кільчицька РЎ. РЎ., Коротков Рџ. Рђ., Кривошея РЎ. Рђ., Мелков Р“. Рђ., Мусатенко Р®. Р’., Нечипорук Рћ. Р®., Савенков РЎ. Рњ.
Вчені факультету традиційно підтримують тісні наукові Р·РІ’СЏР·РєРё Р· вченими РќРђРќ України, підприємствами, що працюють РІ галузі радіофізики С– електроніки. Це дало можливість залучати кошти С– технічні можливості промислових підприємств для розвитку наукової С– навчальної бази факультету. Наприклад, Сѓ
РќР° факультеті працює спеціалізована Рада С–Р· захисту докторських С– кандидатських дисертацій Р·Р° спеціальностями «Р адіофізика», «Р¤С–Р·РёРєР° напівпровідників С– діелектриків», «Р¤С–Р·РёРєР° плазми».
Факультет постійно бере участь у виставках, експонуючи результати своїх робіт, та виграє престижні гранти. Наукові студентські роботи щорічно відзначаються преміями і дипломами різноманітних конкурсів.
Особливо плідним для факультету виявилось встановлення С– розвиток міжнародних наукових-навчальних Р·РІ’СЏР·РєС–РІ Р· РїСЂРѕРІС–РґРЅРёРјРё науково-освітянськими центрами РЎРЁРђ, Франції, Тайваню, Німеччини, Голландії, Великої Британії, Китаю та інших країн.Це дозволяє урізноманітнити форми навчання та проведення наукових досліджень, організувати взаємообмін Сѓ навчанні, стажуванні та викладацькій роботі.
Радіофізичний факультет є організатором Міжнародних наукових конференцій молодих вчених з прикладної фізики (з 2000-го р.) та з електроніки і прикладної фізики (з 2005-го р.), на яких із запрошеними лекціями виступають провідні українські та закордонні вчені, а також роблять оригінальні доповіді фахівці з різних країн світу на секційних засіданнях з таких напрямків: лазери, оптика та оптоелектроніка, магнетизм та надпровідність, фізика поверхні нано- та мікроелектроніка, фізика та електроніка напівпровідників і діелектриків, фізичні методи та інформаційні технології в медико-біологічних дослідженнях, фізика плазми, інформаційні технології в освіті та наукових дослідженнях, математичні проблеми прикладної фізики.
РЈ
Кожного навчального СЂРѕРєСѓ студентська армія першокурсників поповнюється абітурієнтами, СЏРєС– стали призерами Міжнародних та Всеукраїнських олімпіад Р· фізики, олімпіади Р· фізики, що проводить радіофізичний факультет, Р° також радіо-РєРѕРЅРєСѓСЂСЃСѓ«Р—навці радіофізики»; серед першокурсників значну частину складають ті, хто закінчив школу С–Р· золотою чи СЃСЂС–Р±РЅРѕСЋ медаллю.
Значною подією в житті колективу є Днi факультету, які святкуються двічі на рік, і історія яких сягає понад три десятиріччя.
Хід свят фіксується на відеоапаратуру та зберігається в оргкомітеті, а ілюстрований звіт вміщується на WEB сторінці радіофізичного факультету в мережі Інтернет. Дні Радіофізика висвітлюються в пресі, на радіо та телебаченні, а також широко підтримуються спонсорами з колишніх випускників факультету. Зокрема, кращі студенти
2003 СЂРѕРєСѓ РЅР° факультеті створено Благодійний фонд «Р адіофізик» (Голова Правління, Президент фонду Нечипорук Рћ. Р®., Голова Наглядової Ради фонду Григорук Р’. Р†.). Мета діяльності Фонду — реалізація благодійних програм, проектів та окремих акцій, спрямованих РЅР° підтримку ініціатив викладачів, співробітників, студентів та РІРёРїСѓСЃРєРЅРёРєС–РІ радіофізичного факультету (головним чином — покращення технічної бази навчального процесу та матеріальна підтримка обдарованої молоді). Фонд вже надав підтримку для реалізації цілої РЅРёР·РєРё видавничих проектів — виданні праць Міжнародних наукових заходів, що відбуваються РЅР° факультеті, друкування навчально-методичної літератури, Р° також організації Днів факультету, тощо.
Зазвичай гуртожиток для студента — РґСЂСѓРіР° РґРѕРјС–РІРєР°. Саме тому 1974 СЂРѕРєСѓ, Р·РіС–РґРЅРѕ постанови Ради міністрів України, РїСЂРё університеті було створено студентське містечко, РІ СЏРєРѕРјСѓ СЃСЊРѕРіРѕРґРЅС– проживає майже половина РІСЃС–С… студентів університету (понад 9 тис. РѕСЃС–Р±). РћРєСЂС–Рј РѕСЃРЅРѕРІРЅРѕРіРѕ призначення, тут створено СѓРјРѕРІРё для надання послуг Р· харчування, медичного обслуговування, Р·РІ’СЏР·РєСѓ, перукарні, ремонту РѕРґСЏРіСѓ та взуття, бібліотеки, копіювально-множувальні та РєРѕРјРї’ютерні класи, Інтернет, тощо.
Символічно, що гуртожиток радіофізиків має номер 1 (раніш студенти факультету мешкали у гуртожитках 7 (тепер 3) та 12), як в арифметичному порядку, так і фактичному стані речей. Неформальним підтвердженням цьому є те що, вже багато років підряд саме його виділяють для зйомок провідним телевізійним каналам для презентації умов проживання та дозвілля студентів в гуртожитках студмістечка.
Безпосередньо базовий гуртожиток факультету розташований Р·Р° адресою: РІСѓР». Ломоносова,35, що Р·Р° 10 хвилин С…РѕРґРё РІС–Рґ РєРѕСЂРїСѓСЃСѓ факультету. Це Рї’ятиповерхова будівля Р·
Гуртожиток знаходиться серед зелених насаджень, Р№РѕРіРѕ 8 приміщень виділено для санітарно-побутового призначення, РґРµ можна зайнятися спортом РЅР° тренажерах РІ спортивному залі, пограти РІ настільний теніс або випрати, висушити особисті речі РІ спеціально обладнаних кімнатах. Зауважимо також, що мережу Інтернет студенти-радіофізики самостійно облаштували РїРѕ РІСЃСЊРѕРјСѓ гуртожитку. РќР° першому поверсі Р· окремими парадними входами розташовано комітет профспілок студентів університету та студентське кафе-їдальня, РґРµ студенти вдень можуть поїсти Р·Р° РїРѕРјС–СЂРЅРёРјРё цінами, Р° ввечері розважитися, наприклад, потанцювати РЅР° майданчику для дискотек. Кафе стало улюбленим місцем для святкування невеличких РїРѕРґС–Р№ РЅРµ тільки загальноуніверситетського масштабу (день студента, посвята першого РєСѓСЂСЃСѓ, загальнодержавні свята, тощо), Р° Р№ особистого характеру — день народження, спортивні перемоги, вручення диплому. Р’ гуртожитку щорічно проживає більш РЅС–Р¶ чотириста студентів-радіофізиків. Місця закріплюються Р·Р° мешканцями РЅР° весь період навчання. Р’СЃС–Рј цим, РѕРєСЂС–Рј адміністрації гуртожитку, опікується С– студентська рада.
Незалежні експерти регулярно проводять оцінку того, СЏРєРµ місце Сѓ рейтингу займає кожний Р· університетів світу. Р—Р° критерій обираються результати РѕСЃРЅРѕРІРЅРѕС— — навчально-наукової діяльності вищого навчального закладу, досягнення Р№РѕРіРѕ РІРёРїСѓСЃРєРЅРёРєС–РІ Сѓ різноманітних галузях життя конкретної країни та світу РІ цілому. РљРёС—РІСЃСЊРєРёР№ національний університет імені Тараса Шевченка стабільно посідає Р·РіС–РґРЅРѕ цих оцінок