Электрические и фотоэлектрические свойства GaP p--n- переходов и оценка перспектив их практического применения.

eng

Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.
Подробиці читайте тут.

Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Опис документа:


Шифр:	А
Авт. знак:	107972
Автор:	Хайдаров П.
Назва:	Электрические и фотоэлектрические свойства GaP p--n- переходов и оценка перспектив их практического применения.
Від. щодо назв.:	Автореф... канд.физ-мат.наук: 01.04.01
Відповідальність:	Хайдаров П.; АН ТССР.Физ-техн.ин-т.
Місто:	Ашхабад
Рік:	1977
Сторінок:	17л.
ББК:	В379
Тип документу:	Автореферат

Розділ:

Назва:

Будь ласка, пишіть 2-3 слова з назви БЕЗ ЗАКІНЧЕНЬ!
Так імовірніше знайти потрібний документ!

слова не коротші ніж 3 символів, розділені пробілами

Автор:

Будь ласка, пишіть прізвище автора без ініціалів!

не коротше ніж 2 символи

є повний текст

Рік видання:

Видавництво:

з по

Види документів:

Книга Брошура Конволют (штучно створена збірка) Рідкісне видання

Автореферат Дисертація

Журнал Газета

Стаття Складова частина документа


	Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка проект УКР/99/005

	© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex