Опис документа:
| |
| Шифр: |
А |
| Авт. знак: |
107972 |
| Автор: | Хайдаров П. |
| Назва: | Электрические и фотоэлектрические свойства GaP p--n- переходов и оценка перспектив их практического применения. |
| Від. щодо назв.: |
Автореф... канд.физ-мат.наук: 01.04.01 |
| Відповідальність: |
Хайдаров П.; АН ТССР.Физ-техн.ин-т. |
| Місто: | Ашхабад |
| Рік: | 1977 |
| Сторінок: | 17л. |
| ББК: |
В379 |
| Тип документу: |
Автореферат |
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека
читачів не обслуговує.
|
|
|
|
|
