Опис документа:
| |
Шифр: |
А |
Авт. знак: |
113880 |
Автор: | Пантелеев В.В. |
Назва: | Изучение атомных структур поверхностей полупроводников GaAs, GaP, InSB приминительно к проблеме консервации их защитными слоями. |
Від. щодо назв.: |
Автореф... канд. техн.наук: 01.04.10 |
Відповідальність: |
Пантелеев В.В.; МВ и ССО СССР. Москов. ин-т стали и сплавов. |
Місто: | М. |
Рік: | 1979 |
Сторінок: | 22л. |
ББК: |
З233 |
Тип документу: |
Автореферат |
Пошук: заповніть хоча б одне з полів
|
|