Опис документа:
| |
Шифр: |
А |
Авт. знак: |
111825 |
Автор: | Муссил В.В. |
Назва: | Исследование экситонных состояний в некоторых полупроводниках с большой шириной запрещенной зоны методом фардеевского вращения |
Від. щодо назв.: |
Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 |
Відповідальність: |
Муссил В.В. ; Харьк. гос. ун-т |
Місто: | Харьков |
Рік: | 1978 |
Сторінок: | 23 с. |
ББК: |
В374 |
Тип документу: |
Автореферат |
Пошук: заповніть хоча б одне з полів
|
|