Процессы эпитаксиального выращивания легированных структур на основе соединений А3Б5 и исследование их характеристик

eng

Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.
Подробиці читайте тут.

Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Опис документа:


Шифр:	А
Авт. знак:	137703
Автор:	Нгуен Суан Нгиа
Назва:	Процессы эпитаксиального выращивания легированных структур на основе соединений А3Б5 и исследование их характеристик
Від. щодо назв.:	Автореф... канд. техн.наук: 05.27.06
Відповідальність:	Нгуен Суан Нгиа; Национальная АН Украины, Ин-т физики полупроводников
Місто:	К.
Рік:	1994
Сторінок:	15л.
ББК:	З233-06
Тип документу:	Автореферат

Розділ:

Назва:

Будь ласка, пишіть 2-3 слова з назви БЕЗ ЗАКІНЧЕНЬ!
Так імовірніше знайти потрібний документ!

слова не коротші ніж 3 символів, розділені пробілами

Автор:

Будь ласка, пишіть прізвище автора без ініціалів!

не коротше ніж 2 символи

є повний текст

Рік видання:

Видавництво:

з по

Види документів:

Книга Брошура Конволют (штучно створена збірка) Рідкісне видання

Автореферат Дисертація

Журнал Газета

Стаття Складова частина документа


	Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка проект УКР/99/005

	© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex