Опис документа:
| |
Шифр: |
А |
Авт. знак: |
68537 |
Автор: | Зимогорова Н.С. |
Назва: | Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур с гомо- и гетеропереходами в системах GaP-GaAs и AlAs-GaAs |
Від. щодо назв.: |
Автореф... канд. физ.-мат.наук: 01.049 |
Відповідальність: |
Зимогорова Н.С.; АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе |
Місто: | Л. |
Рік: | 1970 |
Сторінок: | 17л. |
ББК: |
В379.271.4 |
Тип документу: |
Автореферат |
Пошук: заповніть хоча б одне з полів
|
|