Інвертовані стани носіїв струму у напівпровідниках для середньої (лямбда прим.= 10...50 мкм) і далекої інфрачервоної (лямбда прим. = 50...200 мкм) областей спектру.
Від. щодо назв.:
Дис... доктор фіз.-мат.наук: 01.04.10
Відповідальність:
Тулупенко Віктор Миколайович; КУ ім. Т.Шевченка
Місто:
К.
Рік:
1999
Сторінок:
289л.
ББК:
В379.231.2
Тип документу:
Дисертація
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
