Опис документа:
| |
Шифр: |
53 |
Авт. знак: |
Рост |
Назва: | Рост полупроводниковых кристаллов и пленок |
Видавництво: | Наука |
Місто: | Новосибирск |
Рік: | 1984 |
Номер частини: |
Ч. 2 |
Назва частини: |
Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов |
Сторінок: | 152с. |
ББК: |
В3+З2 |
Тип документу: |
Книга |
Документ знаходиться у фонді ФІЗИЧНОГО факультету за адресою: проспект акад. Глушкова 4, четвертий поверх, кім. 400,402. |
|
|
Пошук: заповніть хоча б одне з полів
|
|