Ионное легирование полупроводников

eng

Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.
Подробиці читайте тут.

Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Опис документа:


Шифр:	621.3
Авт. знак:	Зори
Автор:	Зорин Е.И., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И.
Назва:	Ионное легирование полупроводников
Місто:	Москва
Рік:	1975
Сторінок:	129 с.
ББК:	З8
Тип документу:	Книга

Документ знаходиться у фонді РАДІОФІЗИЧНОГО факультету за адресою: проспект акад. Глушкова 4г, другий поверх, кім. 26,28.

Розділ:

Назва:

Будь ласка, пишіть 2-3 слова з назви БЕЗ ЗАКІНЧЕНЬ!
Так імовірніше знайти потрібний документ!

слова не коротші ніж 3 символів, розділені пробілами

Автор:

Будь ласка, пишіть прізвище автора без ініціалів!

не коротше ніж 2 символи

є повний текст

Рік видання:

Видавництво:

з по

Види документів:

Книга Брошура Конволют (штучно створена збірка) Рідкісне видання

Автореферат Дисертація

Журнал Газета

Стаття Складова частина документа


	Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка проект УКР/99/005

	© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex