Опис документа:
| |
Шифр: |
А |
Авт. знак: |
160821 |
Автор: | Ткачук О.І. |
Назва: | Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001) |
Від. щодо назв.: |
автореф. дис. ... канд. хім. наук : 02.00.04 |
Відповідальність: |
Ткачук Ольга Іванівна ; Нац. акад наук України, Інститут поверхні ім. О.О. Чуйка |
Місто: | Київ |
Рік: | 2019 |
Сторінок: | 22 с. |
ББК: |
544.72.023:544.18](043.3) |
Тип документу: |
Автореферат |
Пошук: заповніть хоча б одне з полів
|
|