Опис документа:
| |
Автор: | Оксанич А.П., Когдась М.Г., Холод О.Г., Мащенко М.А. |
Назва: | Применение пористых слоев GaAs при изготовлении диодов Шоттки |
Видавництво: | Кременчуцький національний університет імені Михайла Остроградського |
Рік: | 2018 |
Сторінок: | С. 22-28 |
Тип документу: |
Стаття |
Головний документ: |
Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського |
Примітки: |
Автор, загл. и аннот. парал. на укр., рус. и англ. яз. |
Пошук: заповніть хоча б одне з полів
|
|