One of the problems in modern integrated circuits technology is the creation of proper interconnects between the elements on the chip. If doped polysilicon is used for this purpose, the high frequency response of the circuits turns out to be poor due toelectrical resistance being not low enough even for high doping levels. This problem can be solved by an additional layer of titanium silicide above the polysilicon, which creates a much lower resistance in parallel (policide structure formation) and preserves the charged state of the gate stack structure.
Однією з проблем сучасної технології інтегральних електронних схем є створення високоякісних міжелементних з"єднань на кристалі. При використанні полікремнію високочастотний відгук схеми виявляєтьсянезадовільним через високий електричний опір, навіть для високих рівнів легування. Ця проблема може бути розв"язана шляхом створення додаткового шару силіциду титану зверху полікремнію, що створює додатковий значно нижчий опір, підключений паралельно (формування поліцидної структури), а також зберігає зарядовий стан структури затворного стеку.
Одной из проблем современной технологии интегральных электронных схем есть создание высококачественных межэлементных соединений на кристалле. В случае исполь&зования поликремния, высокочастотный отзыв схемы оказывается неудовлетворительным из-за высокого электрического сопротивления даже для высоких уровней легирования. Эта проблема может быть решена путём создания дополнительного шара силицида титана пов&ерх поликремния, что создаёт дополнительное параллельно подключённое, значительно более низкое сопротивление (формирование полицидной структуры), а также сохраняет зарядное состояние структуры затворного стека.
