"Методами поверхневої фото-е.р.с., FTIR- спектроскопiї та вимірюванням частотних залежностей діелектричної проникності проведено дослідження структури типу "кремнієва підкладка/нанокомпозитний епоксидно-полімерний шар". Виявлено, що нанесення на кремнієву підкладку нанокомпозитної плівки на основі епоксидної смоли з порошком SiO2 зумовлює зменшення амплітуди фото-е.р.с з одночасним її релаксації. Отримані дані пояснюються в припущенні, що взаємодія карбонільних і гідроксильних груп зв’язувача з активними центрами наповерхні частинок SiO2 і встановлення SiO та SiN зв’язків на поверхні кремнію змінює умови рекомбінації носіїв заряду та вигин зон в приповерхневому шарі Si".
