Головна сторiнка
eng
Наукова бібліотека ім. М. Максимовича UNDP in Ukraine
Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.

Подробиці читайте тут.
Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Назад Новий пошук

Опис документа:

Автор: Находкін М.Г., Родіонова Т.В.
Назва: Вплив відпалювання на зернограничну енергію кремнієвих плівок з дендритною структурою
Рік:
Сторінок: С. 277-280
Тип документу: Стаття
Головний документ: Київський Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка / Київський, університет імені національний; редкол.: голов. ред. Анісімов А.В. ; Хусаінов Д.Я., Arturs Medvids, Miklos Ronto [та ін.]. - Київ, 2017
Анотація:   Відносна зерногранична енергія нелегованих та легованих фосфором кремнієвих плівок, що отримані методом хімічного осадження з газової фази, визначалась методом зерно граничних канавок, що утворюються при перетинанні границь зерен вільною поверхнею. Показано, що нелеговані плівки з дендритною структурою мають меншу відносну зернограничну енергію, ніж плівки, що леговані фосфором. Відпалювання призводить до релаксації структури легованих фосфором плівок.
   The relative grain-boundary energy of undoped andphosphorus-doped silicon films with dendritic structure, prepared by low-pressure chemical vapor deposition, was determined by the method of grain boundary grooves being formed at the intersection of the grain boundary plane with the free surface. The measurements of grain boundary groove dihedral angles were performed by atomic force microscopy. It was found that the average dihedral angles of the grain-boundary grooves for undoped and phosphorus-doped silicon films were 178,820 and 166,600, and average relative grain-boundary energy were 0,02 and 0,26, respectively. That is undoped films with a dendritic structure possess the lowest relative grain-boundary energy compared with phosphorus-doped silicon films. The mechanism of the phosphorus influe&nce on relative grain-boundary energy has been analyzed. It was shown that annealing of phosphorus-doped dendritic silicon films leads to a decrease in the relative grain-boundary energy and, consequently, to the relaxation of the non-equilibrium str&ucture. Such films are preferred for practical use.
  



Пошук: заповніть хоча б одне з полів


Розділ:
Назва:
Будь ласка, пишіть 2-3 слова з назви БЕЗ ЗАКІНЧЕНЬ!
Так імовірніше знайти потрібний документ!
слова не коротші ніж 3 символів, розділені пробілами
Автор:
Будь ласка, пишіть прізвище автора без ініціалів!
не коротше ніж 2 символи
є повний текст
Рік видання:
Видавництво:
з     по  
Види документів:
 Книга  Брошура  Конволют (штучно створена збірка)  Рідкісне видання
 Автореферат  Дисертація
 Журнал  Газета
 Стаття  Складова частина документа
Новий тематичний пошук
       
      
        
Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та
Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка
проект УКР/99/005

© 2000-2010 yawd, irishka, levsha,