Структура нелегованих та легованих фосфором аморфно-кристалічних плівок кремнію, що отримані методом хімічного осадження з газової фази, була досліджена методом просвічуючої електронної мікроскопії. В легованих фосфором плівках було виявлено два типи кристалітів кремнію, зокрема, кристаліти еліптичної форми з двійниковими прошарками уздовж головної осі та кристаліти неправильної форми. В нелегованих плівках спостерігались тільки кристаліти неправильної форми. Така відмінність структури може бути обумовлена ступенем впорядкованості аморфної фази, в якій ростуть кристаліти кремнію.
The microstructure of undoped and phosphorus doped amorphous-crystalline silicon films deposited by low pressure chemical vapor deposition has been investigation by transmission electron microscopy. It was shown that phosphorus doping significantly influences the structure of amorphous-crystalline silicon films. There are two morphological species of crystallites observed in P-doped films: 1 - elliptical crystallites which contain twin boundaries along the major axis. The major axis of each ellipse is about three times longer than the minor one. Twin boundaries are found to lie along the <112> direction with the average length of 200 nm. The elliptical crystallites shap&e is due to the anisotropic growth of crystal in amorphous silicon along different orientation and implies that these formation is controlled by the slowest growing planes, i.e. (111); 2 - fan-like crystallites with average size about 50 nm. This is &only one species of crystallites is observed in undoped amorphous-crystalline silicon films - fan-like crystallites. Such difference is determined by various crystallite formation mechanisms in these two cases. In undoped silicon films crystallite fo&rmation is controlled by deposition temperature and proceeds in amorphous surrounding. As far as P-doped silicon films is concerned, the analogy with ion-implanted layers allow us to suppose that in situ doping results in disordered amorphous layers.&
