Електропровідність С та 2С-політипів сегнетоелектрика TlInS2 в діапазоні температур 100 К - 300 К
Рік:
2016
Сторінок:
С. 151-154
Тип документу:
Стаття
Головний документ:
Київський Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка / Київський, університет імені національний; редкол.: голов. ред. Анісімов А.В. ; Хусаінов Д.Я., Arturs Medvids, Miklos Ronto [та ін.]. - Київ, 2016
Анотація:
Експериментально досліджено температурні залежності питомої електропровідності на постійному струмі С- та 2С-політипів кристалів TlInS2 при охолодженні в області температур 100 К - 300 К. Виявлено, що температурні залежності для таких політипів демонструють суттєві відмінності. У зразках С-політипу спостерігається зростання провідності при охолодженні в температурній області існування НФ, тоді як в зразках 2С-політипу в усьому температурному інтервалі провідність монотонно спадає. Для обох політипів визначено енергії активації провідності на експоненційних ділянках температурних залежностей питомої електропровідності. Показано, що в області температур 120 К - 160 К для С- та 2С-політипів спостерігається стрибкова провідність зі змінною довжиною стрибка. Визначено густину локалізованих станів біля рівня Фермі, яка для 2С-політипу є майже у 2 рази є вищою, ніж у С-політипу.
The temperature dependence of electrical conductivity on DC for C- and 2C-polytypes of TlInS2 crystals was experimentally investigated in temperature range 100-300 K. It was revealed that temperature dependences for such polytypes demonstrate significant differences. The increasing of the conductivity during the cooling in the temperature interval of the incommensurate phase ex&istence was observed for Cpolytype, meanwhile for 2C-polytype the conductivity monotonically decreases. For both polytypes there were determined the activation energies of conductivity in exponential areas of temperature dependences of electrical con&ductivity. It was shown that in temperature range 120-160 K for C- and 2C-polytype observed the hopping conductivity with a variable jump length. It was determined the density of localized states near the Fermi level, which for 2C-polytype was almost& twice higher. The main types of defects which provide the appearance of localized states in the band gap were considered. There were qualitatively considered the possible reasons of absence of the modulated structures and the mechanism of conductivi&ty growth in region of the incommensurate phase existence in 2C-polytype crystals.
