This paper describes a method of determining the temperature, based on the calculation of the I-U curve of the silicon structure, prepared with technology "silicon with dielectric insulation" (SSDI) and comparing it with experimental I-U curve. The results of the SSDI heating temperature were compared with estimated from spectral measurements.
Описано метод визначення температури, який базується на розрахунку вольт-амперної характеристики (ВАХ) кремнієвої структури, виготовленої за технологією "кремній з діелектричною ізоляцією" (КСДІ) і порівнянні її з експериментальною ВАХ. Отримані результати визначення температури порівнюються з оцінками розігріву КСДІ-структури за допомогою спектральних досліджень.
Описан метод определения температуры, основанный на расчете вольт-амперной характеристики (ВАХ) кремниевой структуры, изготовленной по технологии "кремний с диэлектрической изоляцией" (КСДИ) и сравнении его с экспериментальной ВАХ. Полученные результаты определения температуры сравниваются с оценками разогрева КСДИ-структуры с помощью спектральных исследований.
