У методичній статті, розрахованій на науковців, викладачів та студентів вищої школи, з позицій концепції "знизу/вгору" узагальненої транспортної моделі Ландауера - Датта - Лундстрома обговорюються такі характеристики графену, як густина електронних станів і залежність концентрації носіїв струму від напруги на затворі; залежність числа мод провідності від енергії й величина максимальної провідності; різні механізми розсіяння носіїв у графені, зумовлена цим рухливість, визначена згідно з формулою Друде; циклотронна частота і ефективна маса носіїв у графені; частоті межі роботи графенового польового транзистора; функція густини фононних станів; порівняльний вклад електронів і фононів у теплопровідність графену; провідність p-n переходу в графеновому каналі; залежність коефіцієнту Зеєбека в графені від напруги на затворі.
On the basis of Landauer - Datta - Lundstrom transport model the following characteristics of graphene such as the density of electronic states and the carriers concentration dependence on gate voltage, the number of modes dependence on energy and maximum conductivity value, different mechanisms of carriers scattering in graphene, and the corresponding mobility in graphene determined through the Drude formula, the cyclotron frequen&cy and the carriers effective mass in graphene, frequency limits for graphene FET, phonon density of states function, conductivity of p-n junction in the graphene channel, the relative contribution of electrons and phonons into the thermal conductivi&ty of graphene, dependence of Seebeck coefficient in graphene on gate voltage are discussed in the tutorial article directed to serve researchers, university teachers and students.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
