Опис документа:
| |
Шифр: |
А |
Авт. знак: |
Эски |
Автор: | Эскин С.М. |
Назва: | Исследование и разработка технологии получения высокоэффективных диффузионных Р-П переходов на основе Ca As1-xPx и Ga P |
Від. щодо назв.: |
автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.17.16 |
Відповідальність: |
Эскин Сергей Моисеевич ; М-во высш. и сред. спец. образования СССР, Москов. ин-т электрон. техники |
Місто: | Москва |
Рік: | 1979 |
Сторінок: | 19 c. |
ББК: |
З853+В379.231.21 |
Тип документу: |
Автореферат |
Пошук: заповніть хоча б одне з полів
|
|