Исследование помехозащищенности и разработка высокоэффективных накопителей полупроводниковых схем памяти на основе биполярных совмещенных транзисторных структур
Від. щодо назв.:
автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.18
Відповідальність:
Баринов Виктор Владимирович ; Москов. ин-т электронной техники