Досліджувались структури у вигляді планарного кремнієвого p-n переходу, в область просторового заряду якого вводились парамагнітні центри шляхом опромінення високоенергетичними іонами Не+. Експериментально підтверджено зміну провідності таких структур вумовах спінового резонансу. З"ясовано, що величина цієї зміни суттєво не залежить від напруженості магнітного поля. Це явище може бути використано для створення широкодіапазонного безкалібровочного датчика магнітного поля.
The structures in a form of planar silicon p-n junction were investigated. In their space charge region paramagnetic centers were induced by high energy He+ ions irradiation. These structures demonstrate a change of conductivity in the spin resonance conditions, which was confirmed experimentally. It was found that the magnitude of conductivity change is substantially independent of the magnetic field. This phenomenon can be used to create a wide-range magnetic field sensor, which requires no calibration.
