The new type of Josephson junctions with a resonance-percolation charge transport have been fabricated and investigated. Measured I-V curves of these junctions demonstrate that the well-known characteristic parameter of these junctions (named the ICRN product) has record values. By using an atomic force microscope we have investigated a relief of the every layer of the fabricated Josephson junction, as a result it has been demonstrated a possibility to observe a formation of the cluster structure of tungsten in silicon layer in the Josephson junction barrier on nanosized level.
Одержано та досліджено новий тип джозефсонівських структур із резонансно-перколяційним типом транспорту заряду. На основі аналізу ВАХ цих структур показано, що для цього типу структур є характерними рекордні значення характеристичної напруги - добутку IcRn. За допомогою атомно-силового мікроскопу досліджена топографія окремих шарів цієї джозефсонівської структури. Показана можливість спостерігати на наноструктурному рівні формування кластерної структури вольфраму в кремнієвій матриці бар"єру джозефсонівського переходу.
Получены и исследованы новый тип джозефсоновских структур с резонансно перкаляционным типом транспорта заряда. На основание анализа данных ВАХ этих структ&ур показано что для этого типа структур характерны рекордные значения характеристического напряжения - произведения IcRn. С помощью атомно-силовой микроскопии исследованы топография поверхности отдельных слоев этой джозефсоновской структуры. Показана& возможность наблюдать на наноструктурном уровне формирование кластерной структуры вольфрама в кремниевой матрице барьера джозефсоновского перехода.
