Sidorenko V., Semenets Yu., Skripka S., Gorovenko M., Kravchuk P.
Назва:
The deeper investigation of subsurface inhomogeneities of dielectric objects by controlling the local field diagram of the probe of a near-field microwave microscope
In this paper we propose a new method for controlling the local field diagram of the probe of near-field microwave microscope during the scanning. This can be achieved by implementing the mechanism for changing the length of the probe needle during the scanning. We have shown experimentally that this method can be effective for obtaining images of a sample at different depths. The method allows recognizing the images of at least two delimited layers of a dielectric sample. We have shown the possibilityof the investigation of internal inhomogeneities of dielectric medium without using complex algorithms to solve the incorrect inverse problems.
У статті запропоновано новий метод, який дозволяє керувати діаграмою локального поля зонда ближньопольового мікрохвильового мікроскопу в процесі сканування. Цього можна досягти, реалізувавши механізм зміни довжини голки зонда під час сканування. Експериментально показано, що даний метод може бути ефективним для отримання зображень розподілу діелектричної неоднорідності зразка на різних глибинах. Він дозволяє розпізнати зображення принаймні двох розмежованих шарів діелектрика. Ми показали можливість дослідження внутрішніх неоднорідностей діелектричного середовища, не вдаючись до складних алгоритмів розв"яза&ння обернених некоректних задач
В статье предложен новый метод, позволяющий управлять диаграммой локального поля зонда ближнеполевого микроволнового микроскопа в процессе сканирования. Этого можно достичь, реализовав механизм изменения длины иголки &зонда во время сканирования. Экспериментально показано, что данный метод может быть эффективным для получения изображений распределения диэлектрической неоднородности образца на различных глубинах. Он позволяет распознать изображения по крайней мере &двух разграниченных слоёв диэлектрика. Мы показали возможность исследования внутренних неоднородностей диэлектрической среды, не прибегая к сложным алгоритмам решения обратных некорректных задач.
