A single monolayer of Bi atoms was implanted into Ge(111) and Si(111) samples. Morphology, electronic properties and thermal stability of these surfaces after special chemical and thermal treatments were analyzed by means of atomic-force microscopy and Auger electron spectroscopy. The near surface layers of such samples were found in the disordered state, being able to dissolve additional amount of bismuth deposited on the surface from an external source.
Моношар атомів Bi був імплантований в зразки Ge(111) та Si(111). Морфологія, електричні властивості та термічна стійкість цих поверхонь після спеціальних хімічної та термічної обробок були проаналізовані методами атомної силової мікроскопії та Оже-спектроскопії. Було показано, що приповерхневі шари цих зразків є неупорядкованими та здатні розчиняти додаткову кількість вісмуту, що нанесена на поверхню за допомогою зовнішнього джерела.
Монослой атомов Bi был имплантирован в образцы Ge(111) и Si(111). Морфология, электрические свойства и термическая стойкость этих поверхностей после специальных химической и термической обработок были проанализированы методами атомной силовой микроскопии и Оже-спектроскопии. Было показано, что приповерхностные слои этих образцов являются неупорядоченными и способн&ы растворять дополнительное количество висмута, который был нанесен на поверхность с помощью внешнего источника.
