Головна сторiнка
eng
Наукова бібліотека ім. М. Максимовича UNDP in Ukraine
Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.

Подробиці читайте тут.
Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Назад Новий пошук

Опис документа:

Автор: Кругляк Ю.О., Стріха М.В.
Назва: Термоелектричні коефиціенти в узагальненій моделі транспорту електронів
Рік:
Сторінок: С. 5-23
Тип документу: Стаття
Головний документ: Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Анотація:   У методичній статті, розрахованій на науковців, викладачів та студентів вищої школи, з позицій концепції "знизу - вгору" узагальненої транспортної моделі Ландауера - Датта - Лундстрома послідовно виведені основні рівняння термоелектрики з відповідними транспортними коефіцієнтами (провідність, коефіцієнти Зеєбека і Пельт"є, коефіцієнт термодифузії Соре й електронна теплопровідність для короткозамкнутого кола) для 1D провідників у балістичному режимі провідності й для 3D провідників у дифузійному режимі для довільного закону дисперсії й для будь-якого масштабу напівпровідника.
   Розрахунки здійснено для n-напівпровідників, але водночас показано, як розповсюдити результати також і на р-напівпровідники. Окремо розглянуто біполярну провідність, закон Відемана - Франца, співвідношення Мотта. При цьому процеси розсіювання електронів враховано феноменологічно: середню довжину вільного пробігу апроксимовано степеневим законом. У Додатку наведено вирази для термоелектричних коефіцієнтів для 1D, 2D і 3D напівпровідників з параболічним законом дисперсії.
   On the basis of the "bottom - up" approach of Landauer - Datta - Lundstrom transport model the basic equations of thermoelectricity with the corresponding transport coefficients (conductivity, Seebeck and Pe<ier coefficients, Soret thermal diffusion coefficient, and electronic thermal conductivity for short-circuit case) for 1D conductors in the ballistic regime and 3D conductors in the diffusion regime with an arbitrary dispersion and for any size wer&e strictly derived in the tutorial article for researchers, university teachers, and students.
   The examination was carried for n-semiconductors, the method how to generalize results for p-semiconductors case is also presented. The bipolar conductivi&ty, Wiedemann - Franz law, and Mott correlation were discussed as well. The electron scattering processes were considered phenomenologically: the mean free pass was approximetaed by power law. In Appendix the thermoelectric coefficients for 1D, 2D, a&nd 3D semiconductors with parabolic dispersion are presented.
   В методической статье, расчитанной на исследователей, преподавателей, студентов высшей школы с позиций концепции "снизу - вверх" транспортной модели Ландауэра - Датты - Лундстрома строго &выведены основные уравнения термоэлектричества с соответствующими транспортными коэффициентами (проводимость, коэффициенты Зеебека и Пельтье, коэффициент термической диффузии Соре, коэффициент элекронной теплопроводности для короткозамкнутой цепи) дл&я 1D проводников в баллистическом режиме и для 3D проводников в диффузионном режиме с произвольной дисперсией и любого масштаба.
   Расчеты произведены для n-полупроводников, в то же время показано, как распространить результаты на р-полупроводники. От&дельно рассмотрены биполярная проводимость, закон Видемана-Франца Приведены термоэлектрические коэффициенты для 1D, 2D и 3D проводников с параболической дисперсией в баллистическом и диффузионном режимах.


З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека
читачів не обслуговує.



Вибачте, зараз проходить оновлення бази системи, тому пошук тимчасово недоступний.
Спробуйте будь ласка через 20 хвилин

Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та
Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка
проект УКР/99/005

© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex