У методичній статті, розрахованій на науковців, викладачів та студентів вищої школи, з позицій концепції "знизу - вгору" узагальненої транспортної моделі Ландауера - Датта - Лундстрома послідовно виведені основні рівняння термоелектрики з відповідними транспортними коефіцієнтами (провідність, коефіцієнти Зеєбека і Пельт"є, коефіцієнт термодифузії Соре й електронна теплопровідність для короткозамкнутого кола) для 1D провідників у балістичному режимі провідності й для 3D провідників у дифузійному режимі для довільного закону дисперсії й для будь-якого масштабу напівпровідника.
Розрахунки здійснено для n-напівпровідників, але водночас показано, як розповсюдити результати також і на р-напівпровідники. Окремо розглянуто біполярну провідність, закон Відемана - Франца, співвідношення Мотта. При цьому процеси розсіювання електронів враховано феноменологічно: середню довжину вільного пробігу апроксимовано степеневим законом. У Додатку наведено вирази для термоелектричних коефіцієнтів для 1D, 2D і 3D напівпровідників з параболічним законом дисперсії.
On the basis of the "bottom - up" approach of Landauer - Datta - Lundstrom transport model the basic equations of thermoelectricity with the corresponding transport coefficients (conductivity, Seebeck and Pe<ier coefficients, Soret thermal diffusion coefficient, and electronic thermal conductivity for short-circuit case) for 1D conductors in the ballistic regime and 3D conductors in the diffusion regime with an arbitrary dispersion and for any size wer&e strictly derived in the tutorial article for researchers, university teachers, and students.
The examination was carried for n-semiconductors, the method how to generalize results for p-semiconductors case is also presented. The bipolar conductivi&ty, Wiedemann - Franz law, and Mott correlation were discussed as well. The electron scattering processes were considered phenomenologically: the mean free pass was approximetaed by power law. In Appendix the thermoelectric coefficients for 1D, 2D, a&nd 3D semiconductors with parabolic dispersion are presented.
В методической статье, расчитанной на исследователей, преподавателей, студентов высшей школы с позиций концепции "снизу - вверх" транспортной модели Ландауэра - Датты - Лундстрома строго &выведены основные уравнения термоэлектричества с соответствующими транспортными коэффициентами (проводимость, коэффициенты Зеебека и Пельтье, коэффициент термической диффузии Соре, коэффициент элекронной теплопроводности для короткозамкнутой цепи) дл&я 1D проводников в баллистическом режиме и для 3D проводников в диффузионном режиме с произвольной дисперсией и любого масштаба.
Расчеты произведены для n-полупроводников, в то же время показано, как распространить результаты на р-полупроводники. От&дельно рассмотрены биполярная проводимость, закон Видемана-Франца Приведены термоэлектрические коэффициенты для 1D, 2D и 3D проводников с параболической дисперсией в баллистическом и диффузионном режимах.
