Головна сторiнка
eng
Наукова бібліотека ім. М. Максимовича UNDP in Ukraine
Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.

Подробиці читайте тут.
Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Назад Новий пошук

Опис документа:

Автор: Zelenyuk M., Susla A., Guyvan H., Slivka A., Kedyulich V.
Назва: The influence of an external electric field and unaxial pressure on the dielectric properties of TGS+Cu2+ crystals
Видавництво: Київський університет
Рік:
Сторінок: P. 51-53
Тип документу: Стаття
Головний документ: Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Анотація:   The results of an experimental study of the effect of uniaxial pressure and external electric field on dielectric properties of TGS crystals doped with metallic impurities of Cu2+ in the vicinity of the ferroelectric structural phase transition are presented. The obtained results are compared with published data for undoped TGS crystals. The results of experimental measurements shows that for the TGS crystals the uniaxial pressure ?2 leads to a decrease in the maximum values of the dielectric constant and reducing the phase transition temperature and external electric fields leads to a decrease in the maximum values of the dielectric constant and increment of the phase transition temperature.
   Наведено результати експериментального дослідження впливу одновісного тиску та зовнішнього електричного поля на діелектричні властивості кристалів ТГС, легованих металічними домішками Cu2+, в околі структурного сегнетоелектричного фазового переходу. Отримані результати порівнюються з літературними даними для нелегованого домішками кристалу ТГС. Результати експериментальних вимірювань показали, що для кристалів ТГС+Cu2+ одновісний тиск 2 приводить до зменшення максимальних значень діелектричної проникності та зменшення температури фазового переходу, а зовні&шнє електричне поле призводить до зменшення максимального значення діелектричної проникності і зростання температури фазового переходу.
   Приведены результаты экспериментального исследования влияния одноосного давления и внешнего электрического поля н&а диэлектрические свойства кристаллов ТГС, легированных металлическими примесями Cu2+, в окрестности структурного сегнетоэлектрического фазового перехода. Полученные результаты сравниваются с литературными данными для нелегированного примесями криста&лла ТГС. Результаты экспериментальных измерений показали, что для кристаллов ТГС+Cu2+ одноосное давление 2 приводит к уменьшению максимальных значений диэлектрической проницаемости и уменьшению температуры фазового перехода а внешнее электрическое п&оле приводит к уменьшению максимального значения диэлектрической проницаемости и увеличению температуры фазового перехода.


З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека
читачів не обслуговує.



Вибачте, зараз проходить оновлення бази системи, тому пошук тимчасово недоступний.
Спробуйте будь ласка через 20 хвилин

Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та
Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка
проект УКР/99/005

© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex