Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and сathodoluminescence in Si/SiO2 structure

Опис документа:


Автор:	Steblenko L.P., Koplak O.V., Syvorotka I.I., Kravchenko V.S.
Назва:	Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and сathodoluminescence in Si/SiO2 structure
Рік:	2011
Сторінок:	P. 334-338
Тип документу:	Стаття
Головний документ:	Semіconductor physics, quantum electronics & optoelectronics
Анотація:	Impurity states in Si/SiO2 structure have been studied using cathodoluminescence (CL). It has been found that intrinsic structure defects in Si/SiO2 are sensitive to the action of magnetic field, which can be revealed due to changes in Si/SiO2 optical properties. The most sensitive to magnetic field (about 35 per cent) is the intensity of the 1.9 eV CL band attributed to non-bridge oxygen atoms.

З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека
читачів не обслуговує.

Вибачте, зараз проходить оновлення бази системи, тому пошук тимчасово недоступний.
Спробуйте будь ласка через 20 хвилин