Головна сторiнка
eng
Наукова бібліотека ім. М. Максимовича UNDP in Ukraine
Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.

Подробиці читайте тут.
Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Назад Новий пошук

Опис документа:

Автор: Родіонова Т.В., Сутягіна А.С., Гуменюк А.Г., Робур Л.Й.
Назва: Вплив лазерного відпалювання на морфологію поверхні та оптичні характеристики нанокремнієвих плівок
Видавництво: СумДУ
Рік:
Сторінок: С. 01033-1-01033-5
Тип документу: Стаття
Головний документ: Журнал нано- та електронної фізики
Анотація:   Досліджено вплив лазерного відпалювання на мікрорельєф поверхні та оптичні властивості нанокристалічних плівок кремнію, що отримані методом хімічного осадженні з газової фази в реакторі зниженого тиску. Показано, що при взаємодії з лазерним випромінюванням в плівках відбувається рекристалізація, внаслідок якої має місце згладжування поверхневих неоднорідностей та формування зерен-агломератів. Такі структурні зміни призводять до зменшення вмісту оксиду кремнію в плівках за рахунок скорочення площі границь зерен. В спектрі поглинання плівок спостерігається додатковий максимум при 480 нм.
   Исследовано влияние лазерного отжига на микрорельеф поверхности и оптические свойства нанокристаллических пленок кремния, полученных методом химического осаждения из газовой фазы в реакторе пониженного давления. Показано, что при взаимодействии с лазерным излучением в пленках происходит рекристаллизация, вследствие которой имеет место сглаживание поверхностных неоднородностей и образование зерен-агломератов. Такие структурные изменения приводят к уменьшению содержания оксида кремния в пленках за счет уменьшения площади границ зерен. В спектре поглощения пленок наблюдается дополнительный максимум при 480 нм.
   The effect of laser annealing on the surface microrelief& and optical properties of nanocrystalline silicon films, prepared by low pressure chemical vapor deposition, has been investigated. It is shown that under the interaction with the laser radiation recrystallization takes place in the films, due to wh&ich there is a smoothing of surface irregularities and forming of grain-agglomerates. These structural changes lead to the decrease in the content of the silicon oxide films by reducing the area of the grain boundaries. The additional peak at 480 nm &is observed in the absorption spectrum of the films.



Пошук: заповніть хоча б одне з полів


Шукати серед складових частин документу "Журнал нано- та електронної фізики"
Розділ:
Назва:
Будь ласка, пишіть 2-3 слова з назви БЕЗ ЗАКІНЧЕНЬ!
Так імовірніше знайти потрібний документ!
слова не коротші ніж 3 символів, розділені пробілами
Автор:
Будь ласка, пишіть прізвище автора без ініціалів!
не коротше ніж 2 символи
є повний текст
Рік видання:
Видавництво:
з     по  
Види документів:
 Книга  Брошура  Конволют (штучно створена збірка)  Рідкісне видання
 Автореферат  Дисертація
 Журнал  Газета
 Стаття  Складова частина документа
Новий тематичний пошук
       
      
        
Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та
Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка
проект УКР/99/005

© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex