У черговій із серії оглядово-навчальних статей у рамках концепції "знизу - вгору" наноелектроніки розглядається дифузійно-дрейфова модель струму на основі транспортного рівняння Больцмана, роль зовнішнього електричного поля при виході за межі режиму лінійного відгуку, польовий транзистор і струм насичення, роль заряджання провідника, точкова і розширена моделі провідника, роль контактів, моделі p -n переходів, генерація струму в провіднику з асиметричними контактами.
Within the following in the seriesof the review and tutorial articles next topics are discussed in the frame of the "bottom - up" approach of modern nanoelectronics: the diffusion-drift model of a current on the basis of the Boltzmann transport equation, the role of the external electric field beyond the linear response regime, field-effect transistor and saturation current, the role of conductor charging, the point and extended models of a conductor, the role of contacts, the model of p - n junctions, the generation of a current in a conductor with asy mmetric contacts.
В очередной из серии обзорно-учебных статей в рамках концепции "снизу - вверх" наноэлектроники рассматривается диффузионно-дрейфовая модель тока на основе транспортного уравнения Больцмана, роль внешнего электриче&ского поля при выходе за пределы режима линейного отклика, полевой транзистор и ток насыщения, роль заряжания проводника, точечная и расширенная модели проводника, роль контактов, модели p - n переходов, генерация тока в проводнике с асимметричными к&онтактами.
