We report on the effect of the electrolyte on transport properties of open-gated silicon nanowire (NW) field effect transistor (FET) biosensor studied using noise spectroscopy. Exposing the Si NW FET to the electrolyte solution affects the threshold voltage, because it shifts the potential of the top dielectric layer. Also electrolyte ions screen the effect of the gate dielectric traps on channel transport. NWs of different lengths were used to exclude contact effects and show consistency of the measurement.
Досліджено вплив електроліту на електрофізичні властивості іонно-чутливих польових транзисторів на базі кремнієвих нанониток за допомогою шумової спектроскопії. Занурення польового транзистора на базі кремнієвих нанониток в розчин електроліту призводить до зсуву порогової напруги транзистора завдяки зміні потенціалу верхнього шару діелектрику. Також іони електроліту екранують вплив пасток верхнього шару діелектрику на транспорт в каналі транзистора. Для виключення контактних ефектів та підтвердження достовірності екперименту було проведено вимірювання транзисторів з різною довжиною каналу.
Исследовано влияние электролита на электрофизические свойства ионно-чувствительных полевых транзисторов на базе кремниевых нанонитей с помощью шумовой сп&ектроскопии. Погружение полевого транзистора на базе кремниевых нанонитей в раствор электролита приводит к смещению порогового напряжения транзистора благодаря изменению потенциала верхнего слоя диэлектрика. Также ионы электролита экранируют влияние &ловушек верхнего слоя диэлектрика на транспорт в канале транзистора. Для исключения контактных эффектов и подтверждения достоверности эксперимента были проведены измерения транзисторов с различной длиной канала.
