Існує думка, що планарні транзистори у полімерному корпусі не використовуються в спеціальній апаратурі через недостатню надійність. В даній роботі аналізуються причини такої думки. Для експериментальної перевірки її обрано метод термопольової обробки приладів. Розроблені фізичні моделі міграційного та поляризаційного механізмів деградації транзисторів з урахуванням рухомості іонів в полімерному покритті та оксиді на поверхні кремнію. Пропонуються засоби збільшення надійності транзисторів подібного типу.
Существует мнение, что планарные транзисторы в полимерном корпусе не используются в специальной аппаратуре из-за недостаточной надежности. В данной работе анализируются причины такого мнения. Для экспериментальной проверки его избран метод термополевой обработки приборов. Разработаны физические модели миграционного и поляризационного механизмов деградации транзисторов с учетом подвижности ионов в полимерном покрытии и окисле на поверхности кремния. Предлагаются меры увеличения надежности транзисторовподобного типа.
Planar transistors in polymeric body are not used in special apparatus because of insufficient reliability. In the given work reasons of such opinion are analyzed. For its experimental verification method of thermofield processing fo&r devices is selected. Physical models of migrational and polarizational mechanisms of transistors degradation are developed taking in consideration ions mobility in polymeric coating and oxidant on surface of silicon. Methods of similar type transis&tors reliability increasing are given.
