Виконано варіаційні розрахунки впливу анізотропії ефективної маси електронів і дірок на величину потенціальної енергії взаємодії між біекситонами в напівпровідникових кристалах
The variational calculations of the influence of anisotropy of the effective mass of electrons and holes on the potential energy of interaction between biexcitons in semiconductor crystals have been performed.
