Виконано варіаційні розрахунки впливу анізотропії ефективної маси електронів і дірок на величину потенціальної енергії взаємодії між біекситонами в напівпровідникових кристалах
The variational calculations of the influence of anisotropy of the effective mass of electrons and holes on the potential energy of interaction between biexcitons in semiconductor crystals have been performed.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
