Аналіз експериментальних досліджень рентгенопровідності показав, що застосовувати класичну кінетичну теорію фотопровіднocтi для кінетики рентгенопровідності практично неможливо. Тому запропонована логічна схема для розробки кінетичної тeopii рентгенопровідності напівпровідників i діелектриків. Початковим етапом є розробка тeopії рентгенопровідності ідеальних напівпровідників в яких відcymнi центри локалізації i рекомбінації для вільних згенерованих опромінюванням електронів i дipoк. Одержані закономірності для просторових розподілів концентрациі вільних носіїв дозволяють встановити вольт-амперні та люкс-амперні характеристики з урахуванням рекомбінації вільних електронів з дірками.
The experimental analysis of X-Ray conductivity shows that the classical kinetic theory of photoconductivity of X-Rey conductivity kinetic is not applicable. Thus the suggested logical framework of X-Rey conductivity semiconductors and dielectrics. The first stage of the development of X-Ray conductivity theory of ideal semiconductors where centers of localization and recombination for free electrons and holes generated by іrradiation are not present. Received conformity for spatial distribution of free carrier concentrations allow to make generated by irradiation ele&ctrons characteristics taking іnto account the recombination of free electrons with holes.
