На даний час є недостатньо вивченими етапи процесу фотоґенерації носіїв заряду аморфних напівпровідників з домішками. Було досліджено фотоґенераційні властивості аморфних напівпровідників, допованих фуллеренами в різних концентраціях. Встановлено, що температура топлення композитів полі-N-епоксипропілкарбазолу (ПЕПК) з фуллеренами С60 зростає при збільшенні концентрації С60. Спостерігалося збільшення ефективної температури при збільшенні концентрації С60, що свідчить про участь С60 у формуванні Кулонових пасток у центрах фотоґенерації носіїв заряду. Значення ефективної температури з точністю у 10% збігається із значенням температури топлення композитів ПЕПК + С60.
