Часові залежності релаксації фотопровідності напівпровідникових гетероструктур, як правило, мають складний характер та містять багато різних за швидкістю спаду ділянок, які відповідають механізмам рекомбінації через різні рекомбінаційні центри у зразку.У статті запропоновано реалізацію схеми вимірювань, що враховує вказані особливості зразків та не спотворює спектр сигналу, а також наведено результати проведених вимірювань кінетики фотопровідності зразку гетероструктури з германієвими наноострівцями наокисленій поверхні кремнію.
Photoconductivity relaxation time dependences of semiconductor heterostructures usually have complicated behavior and contain areas with different decrease rates, which correspond to the recombination mechanisms through different recombination centers in the sample. Measuring circuit realization, which takes into consideration the mentioned features of the samples and does not distort the signal spectrum, is suggested in the paper. Also, results of photoconductivity kinetics measurements of the heterostructure with Ge nanoislands on the oxidized surface of Si sample are presented.
