Досліджено ефект стабілізації виділеної потужності при проходженні крізь напівпровідниковий діодний кристал імпульсу ударного струму. Зона стабілізації потужності визначається досягненням температури власної провідності.
The stabilizing effect of isolated power during the passage of surge current pulse through semiconductor diode crystal was worked out. Power"s zone of stabilization was defined the reaching of own conductivity"s temperature.
