Теоретична досліджена дія ІЧ-підсвітки на люмінесценцію широкозонного нескомпенсованого напівпровідника з двома рівнями амфотерної домішки у забороненій зоні: донорним та акцепторним. Показано, що для різних спектральних областей ІЧ-радіації можливі спалах люмінесценції та її розгортання і гасіння. Використання моделі амфотерного центру дає змогу описати явище спалаху та гасіння люмінесценції під дією ІЧ-збудження без додаткових припущень про великий квантовий вихід люмінесценції, як це необхідно при застосуванні класичної моделі незалежних донорів та акцепторів.
