Показано, що в залежності від товщини прошарку титану змінюється висота потенціального бар"єра Шоттки, і параметри вольт-амперних характеристик наближаються до теоретично можливих. На основі аналізу експериментальних вольт-ємнісних характеристик встановлено, що електронні стани межі поділу, які змінюються при появі в системі прошарку титану, значно впливають на перенос заряду.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
