Головна сторiнка
eng
Наукова бібліотека ім. М. Максимовича UNDP in Ukraine
Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.

Подробиці читайте тут.
Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Назад Новий пошук

Опис документа:

Автор: Беженар А.А., Дун Занмін, Копань В.С., Рево С.Л., Хуторянська Н.В.
Назва: Рухливість зарядів в наноструктурних композиціях Аl-Сu та фторопласт-терморозширений графіт
Рік:
Сторінок: С. 307-310
Тип документу: Стаття
Головний документ: Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Анотація:   Композиції вивчались методом Холла. Рухливість електронів в наноструктурних композиціях (НК) Аl-Сu [мю]=13,6 кв.см*В[у мінус першому ступені]*с[у мінус першому ступені] при товщині шару h[приблизно дорівнює] 20 нм і [мю]=19 кв.см*В[у мінус першому ступені]*с[у мінус першому ступені] при h>300 нм, концентрація електронів провідності d =2[+ або -]0,3 атом[у мінус першому ступені].
   В НК ТРГ-ФП4 рухливість дірок [мю]=22 кв.см*В[у мінус першому ступені]*с[у мінус першому ступені] при h[приблизно дорівнює]100 нм і [мю]=39,5 кв.см*В[у мінус першому ступені]*с[у мінус першому ступені] при h>1600 нм, d =0,004 атом[у мінус першому ступені].
   Compositions were studied by the method of Hall. Is there mobility of electrons in nanostruktural compositions (NC) of Al-Cu [mu] = 13,6 sq.cm*V[in the minus first degree]*s[in the minus first degree] at the thickness of layer of h[is approximately equal to]20 nm and [mu] = 19 sq.cm*V[in the minus first degree]*s[in the minus first degree] at h>300 nm, concentration of electrons of conductivity of d=2[+ or -]0,3 atom[in the minus first degree].
   In NC TRG-FP4 mobility of holes [mu] = 22 sq.cm*V[in the minus first degree]*s[in the minus first degree] at h[is approximately equal to]100 nm and [mu] = 39,5 sq.cm*V[in the &minus first degree]*s[in the minus first degree] at h>1600 nm, d=0.004 atom[in the minus first degree].



Пошук: заповніть хоча б одне з полів


Шукати серед складових частин документу "Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка"
Розділ:
Назва:
Будь ласка, пишіть 2-3 слова з назви БЕЗ ЗАКІНЧЕНЬ!
Так імовірніше знайти потрібний документ!
слова не коротші ніж 3 символів, розділені пробілами
Автор:
Будь ласка, пишіть прізвище автора без ініціалів!
не коротше ніж 2 символи
є повний текст
Рік видання:
Видавництво:
з     по  
Види документів:
 Книга  Брошура  Конволют (штучно створена збірка)  Рідкісне видання
 Автореферат  Дисертація
 Журнал  Газета
 Стаття  Складова частина документа
Новий тематичний пошук
       
      
        
Бібліотечний інформаційно-освітній портал  Polpred.com Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та
Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка
проект УКР/99/005

© 2000-2010 yawd, irishka, levsha,