Композиції вивчались методом Холла. Рухливість електронів в наноструктурних композиціях (НК) Аl-Сu [мю]=13,6 кв.см*В[у мінус першому ступені]*с[у мінус першому ступені] при товщині шару h[приблизно дорівнює] 20 нм і [мю]=19 кв.см*В[у мінус першому ступені]*с[у мінус першому ступені] при h>300 нм, концентрація електронів провідності d =2[+ або -]0,3 атом[у мінус першому ступені].
В НК ТРГ-ФП4 рухливість дірок [мю]=22 кв.см*В[у мінус першому ступені]*с[у мінус першому ступені] при h[приблизно дорівнює]100 нм і [мю]=39,5 кв.см*В[у мінус першому ступені]*с[у мінус першому ступені] при h>1600 нм, d =0,004 атом[у мінус першому ступені].
Compositions were studied by the method of Hall. Is there mobility of electrons in nanostruktural compositions (NC) of Al-Cu [mu] = 13,6 sq.cm*V[in the minus first degree]*s[in the minus first degree] at the thickness of layer of h[is approximately equal to]20 nm and [mu] = 19 sq.cm*V[in the minus first degree]*s[in the minus first degree] at h>300 nm, concentration of electrons of conductivity of d=2[+ or -]0,3 atom[in the minus first degree].
In NC TRG-FP4 mobility of holes [mu] = 22 sq.cm*V[in the minus first degree]*s[in the minus first degree] at h[is approximately equal to]100 nm and [mu] = 39,5 sq.cm*V[in the &minus first degree]*s[in the minus first degree] at h>1600 nm, d=0.004 atom[in the minus first degree].
