У роботі розглядається каналювання релятивістських електронів у заряджених площинах іонних кристалів LiH і LiD. Показується, що при переході в цих кристалах до високоіндексних кристалографічних площин можливі інверсії потенціальних ям у потенціальні бар"єри. Досліджується також вплив температурного фактора на структури потенціалів взаємодії релятивістських електронів з такими високоіндексними зарядженими площинами. У випадку заряджених площин (111) проводиться розрахунок енергетичних рівнів і спектральних інтенсивностей, а на їх основі здійснюється ідентифікація спектральних ліній з експериментально існуючими спектрами випромінювання.
The paper deals with the consideration of relativistic electron channeling in charged planes of LiH and LiD crystals.It is shown that the inversions of potential pits into potential barriers may occur at using of high indices crystallographic planes of these crystals. It is also investigated the influence of temperature factor on structures of interaction potentials of relativistic electrons with the high indices charged planes. In the case of the charged planes (111) the calculation of energy levels and spectral intensities is made and the identification of spectral lines to experimentally existing spectral radia&tions is carried out on their basis.
