В роботі викладені результати експериментального дослідження релаксації поперечної акустоелектричної напруги (ПАН) в епітаксіальних структурах GaAs:Te. Вивчалися: а) внесок окремих типів глибоких центрів в загальний сигнал ПАН при використанні приймальних електродів різних площ; б) параметри таких центрів. Проведено співставлення отриманих даних з літературними.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
