В роботі досліджується вплив змін параметрів електронної структури - величини перекриття валентної зони та зони провідності, зміщення рівня Фермі на хід температурної залежності термо-ерс в структуровідмінних вуглеграфітових матеріалах. Розраховані значення величини перекриття та величина зміщення рівня Фермі для цих матеріалів. Показано, що термо-ерс є дуже чутливою до зміни електронної структури матеріалу.