У даній роботі дослідження розширені на напівпрозорі матеріали (діелектрики, напівпровідники), у яких область поглинання значно перевищує умовний приповерхневий шар.
Процес взаємодії лазерного випромінювання з речовиною умовно можна розділити на наступні стадії: відбивання - поглинання світла; нагрівання матеріалу; плавлення, руйнування матеріалу шляхом випаровування й виносу розплаву й остигання після закінчення світлового впливу.
In this paper we study expanded on translucent materials (dielectrics, semiconductors), in which region the absorption is much higher than conventional subsurface layer.
The process of interaction of laser radiation with matter can be divided into the following stages: reflection - absorption of light, heating the material, melting, destruction of material by evaporation and removal of the melt and cooling after light exposure.
