У напівпровіднику з ВАХ 5-типу, струм по перерізу розподілений нерівномірно. Відбувається утворення шнурів струму. Досліджено протікання імпульсу струму з густиною до 10[верхній індекс 4] А/кв.см крізь прямозміщений p-n перехід КНІ польового транзистора. Отримані осцилограми дозволили побудувати вольт-амперні характеристики з 5-подібною областю. Показано, що ця область пов"язана з утворенням шнура струму. Візуальні спостереження підтвердили появу одного повного шнура та декілька його зародків.
Currentis irregular in cross-section of semiconductor devices with S-type current-voltage characteristic. Pinch effect could be observed. Current pulse flow, with density up to 10[higher index 4] A/cm[higher index 2], through the direct biased SOI transistors p-n junction was studied. Obtained oscillograms enabled to build current-voltage characteristics with the S-type region. It is showed that this S-type region is the result of current pinch appearing. Visual data confirm the appearance of one or some pinches.
