Набуває розвитку теоретичний аналіз еволюції пор в опроміненому кристалі та його температури в залежності від умов опромінення, властивостей кристалу та його вихідного стану. Встановлено, що для досліджуємої моделі можливо чотири якісно різних шляхів розвитку пористості. В залежності від параметрів та своїх початкових значень радіус пор, температура опроміненого кристалу і густина дефектів можуть монотонно або немонотонно зменшуватися, прагнучи до стаціонарного стану, осцилювати в режимі автоколивань. Це дає можливість обмежити розвиток пористості відомою межею шляхом утворення необхідних концентрації дефектів та середнього радіусу пор безпосередньо перед опроміненням. Їх величини визначаються умовами опромінення та властивостями кристалу.