Для одержання розподілу шарового опору емітера сонячного елемента застосовано сканування лазерним променем. Показано, що падіння напруги навколо освітленої області дає інформацію про локальний шаровий опір, оскільки більша частина падіння напруги відбувається біля неї. Струм при локальному освітленні при зворотній прикладеній напрузі залежить від локальної квантової ефективності, тоді як при прямій прикладеній напрузі він залежить не тільки від цих параметрів, але і від локального шарового опору. Обробка зображень, одержаних в режимі наведеного лазерним променем струму при різних прикладених напругах, дає карти локального шарового опору, які доповнюють інформацію, одержану іншими методами дослідження електронних приладів. Такі двовимірні зображення були отримані за допомогою універсального лазерного мікроскопу з акусто-оптичним скануванням як в амплітудному, так і в фазовому режимі.
