Досліджували вплив питомого опору кремнію р типу, густини струму анодування і часу анодування на поруватість, товщину та швидкість пороутворення поруватого кремнію. Зразки були виготовлені в електроліті з сумішшю фтористоводневої кислоти (48% HF) та ізопропилового спирту (CH3CH(OH)CH3). На пластинах легованих бором з питомим опором 0.005 Ом*см-40 Ом*см можна отримувати шари поруватого кремнію завтовшки 0.5-10 мкм, з поруватістю 10% - 40%.
Investigated the influence of resistivity p-type silicon, anodization current density and anodizing time on the porosity, thickness and rateformation porous silicon. Samples were prepared in an electrolyte mixture of hydrofluoric acid (48% HF) and izopropanol (CH3CH (OH) CH3). In boron doped wafers with resistivity of 0.005 Ohm*cm-40 Ohm*cm may be obtained porous silicon layers of thickness 0.5-10 microns, porosity of 10% - 40%.
