В даній роботі показана можливість та наведені приклади застосування фотоакустичної (ФА) мікроскопії для вивчення пружно-напруженого стану напівпровідникових структур на основі кремнію. В експериментах було використано комп"ютеризований ФА мікроскоп з гармонічною модуляцією інтенсивності випромінювання Ar-ion лазера та п"єзоелектричною реєстрацією ФА сигналу. Теоретично досліджена роль пружно-напруженого стану в формуванні ФА контрасту для випадку іонно-легованих напівпровідникових структур.
