Реконструкція електронної структури Si та Тi, Ва при формуванні границь Si/Тi та Si/Ва зумовлює зміну енергії та інтенсивності плазмонних піків в спектрах втрат енергії повільних електронів (ВЕПЕ) та зміну інтенсивності піків в Оже-спектрах. Принципові зміни в спектрах ВЕПЕ відбуваються до закінчення формування першого моношару Тi та другого моношару Ва на Si. При субмоноатомних покриттях відбуваються спочатку поступові зміни інтенсивності ВЕПЕ та Оже- піків, зумовлені одночастковими збудженнями електронних станів окремих атомів підкладинки та адсорбованого шару. При порогових покриттях (0,5 моношару Тi та 1,5 моношару Ва) з"являються нові ВЕПЕ-піки, зумовлені збудженням поверхневих плазмених коливань плівок цих металів. Додаткова до цього адсорбція 0,5 моношару Тi та Ва викликає появу об"ємних плазмених коливань плівок цих металів.
